三星和SK海力士在EUV光刻技術領域分道揚鑣

   韓國的兩大半導體公司，三星電子和SK海力士，在極紫外（EUV）光刻技術的應用上採取了截然不同的策略，這一現象引起了業界的廣泛關注。兩家公司目前都在積極尋找方法，以在高度競爭的半導體市場中增強自身的競爭力。

   作爲年終組織架構調整的一部分，三星電子在全球製造和基礎設施總部設立了一個新工作組（TF），名爲“EUV Synergy TF”。該小組的成立是爲了提高超精細半導體制造技術的良率，尤其是3納米代工廠。其核心任務是管理EUV設備，並提升光刻及跟蹤設備的生產效率。爲了實現這一目標，EUV Synergy TF旨在提高光刻機中所使用的各種材料和部件的生產效率，其中包括ASML提供的價值200億美元的光刻機和東京電子的EUV軌道設備。

   三星的投入體現在對EUV光刻機的大規模採購上。該公司已經在華城和平澤的工廠中採購了超過30臺EUV光刻機。EUV光刻利用13.5納米的波長來將半導體電路精準地印刷到晶圓上，是製造更加複雜和精密的半導體電路的關鍵技術。自2019年開始，三星便將EUV引入其代工工藝，儘管其在提升10納米級第六代DRAM和低於3納米的代工廠良率時仍面臨不少挑戰。

   與三星的策略不同，SK海力士則在EUV光刻技術上採取了更加長遠的技術發展路線。在今年的組織調整中，SK海力士解散了原本獨立運作的EUV技術小組，並將其併入了未來技術研究院。這一調整彰顯了SK海力士專注於長遠技術突破的決心，而非僅僅追求短期產量的提升。自2021年起，SK海力士已開始在其10納米級第四代DRAM中應用EUV技術，現有10多臺EUV光刻機在利川的M16工廠運作。

展望未來，SK海力士計劃加大對下一代EUV光刻設備的投入，尤其是高數值孔徑（High-NA）機器。預計最早將於2025年下半年，SK海力士就能獲得首臺高NA光刻機。此舉突顯了公司在技術研發方面的前瞻性佈局，意在爲半導體制造的未來奠定更強的技術基礎。

   面對NAND市場需求下降和價格持續下行，三星電子和SK海力士等主要存儲器生產商也開始採取“降低成本”的戰略，試圖應對這一挑戰。業內消息人士透露，三星與SK海力士近期都開始致力於減少落後技術的NAND產量，並改造那些開工率較低的老舊生產設施，升級爲更先進的生產線。

   隨着PC和智能手機等IT需求的疲軟，NAND閃存的價格持續走低。據市場研究公司TrendForce的數據，用於存儲卡和USB設備的128Gb NAND閃存價格已下降了約30%。特別是第7代NAND，由於技術更新換代，市場需求大幅減少，造成了嚴重的產能過剩。與此同時，競爭對手如Kioxia（原東芝存儲）和中國廠商的加入，進一步加劇了市場競爭。

   第7代（V7）NAND採用了大約170層的堆疊技術，性能隨着單元堆疊的增加而提升。三星和SK海力士自2021年底開始量產這一技術。爲了應對市場變化，國內兩大存儲廠商紛紛降低第7代NAND的開工率，並要求合作伙伴對現有生產設施進行改造，騰出空間用於8代和9代NAND的生產。此外，三星和SK海力士還推遲了對新型尖端NAND設施的投資計劃，集中精力優化現有產能。