三星和SK海力士在EUV光刻技术领域分道扬镳

   韩国的两大半导体公司，三星电子和SK海力士，在极紫外（EUV）光刻技术的应用上采取了截然不同的策略，这一现象引起了业界的广泛关注。两家公司目前都在积极寻找方法，以在高度竞争的半导体市场中增强自身的竞争力。

   作为年终组织架构调整的一部分，三星电子在全球制造和基础设施总部设立了一个新工作组（TF），名为“EUV Synergy TF”。该小组的成立是为了提高超精细半导体制造技术的良率，尤其是3纳米代工厂。其核心任务是管理EUV设备，并提升光刻及跟踪设备的生产效率。为了实现这一目标，EUV Synergy TF旨在提高光刻机中所使用的各种材料和部件的生产效率，其中包括ASML提供的价值200亿美元的光刻机和东京电子的EUV轨道设备。

   三星的投入体现在对EUV光刻机的大规模采购上。该公司已经在华城和平泽的工厂中采购了超过30台EUV光刻机。EUV光刻利用13.5纳米的波长来将半导体电路精准地印刷到晶圆上，是制造更加复杂和精密的半导体电路的关键技术。自2019年开始，三星便将EUV引入其代工工艺，尽管其在提升10纳米级第六代DRAM和低于3纳米的代工厂良率时仍面临不少挑战。

   与三星的策略不同，SK海力士则在EUV光刻技术上采取了更加长远的技术发展路线。在今年的组织调整中，SK海力士解散了原本独立运作的EUV技术小组，并将其并入了未来技术研究院。这一调整彰显了SK海力士专注于长远技术突破的决心，而非仅仅追求短期产量的提升。自2021年起，SK海力士已开始在其10纳米级第四代DRAM中应用EUV技术，现有10多台EUV光刻机在利川的M16工厂运作。

展望未来，SK海力士计划加大对下一代EUV光刻设备的投入，尤其是高数值孔径（High-NA）机器。预计最早将于2025年下半年，SK海力士就能获得首台高NA光刻机。此举突显了公司在技术研发方面的前瞻性布局，意在为半导体制造的未来奠定更强的技术基础。

   面对NAND市场需求下降和价格持续下行，三星电子和SK海力士等主要存储器生产商也开始采取“降低成本”的战略，试图应对这一挑战。业内消息人士透露，三星与SK海力士近期都开始致力于减少落后技术的NAND产量，并改造那些开工率较低的老旧生产设施，升级为更先进的生产线。

   随着PC和智能手机等IT需求的疲软，NAND闪存的价格持续走低。据市场研究公司TrendForce的数据，用于存储卡和USB设备的128Gb NAND闪存价格已下降了约30%。特别是第7代NAND，由于技术更新换代，市场需求大幅减少，造成了严重的产能过剩。与此同时，竞争对手如Kioxia（原东芝存储）和中国厂商的加入，进一步加剧了市场竞争。

   第7代（V7）NAND采用了大约170层的堆叠技术，性能随着单元堆叠的增加而提升。三星和SK海力士自2021年底开始量产这一技术。为了应对市场变化，国内两大存储厂商纷纷降低第7代NAND的开工率，并要求合作伙伴对现有生产设施进行改造，腾出空间用于8代和9代NAND的生产。此外，三星和SK海力士还推迟了对新型尖端NAND设施的投资计划，集中精力优化现有产能。