省流：8g2水平
9000s 平均21.7fps
9020平均720P，35帧
9030p 39帧
9030s CPU接近9030p，GPU接近9020
9030s 8030性能分析，还有9030P工艺分析
还有麒麟9050还有第二弹鸿蒙PC
麒麟9050的参数已经被提前爆出来了，CPU1*3.05+3*2.75+4*2.25+2*2.05
gpu马良950，8CU
npu80T算力
高通小吧给的数据，已经爆料过9000S，9010，9020，9030pro和甚至p90pm上面的那颗9030S的参数都爆料了
8030超频版9030S
1*2.85+3*2.25+4*1.75
3CU 933MHz
小树的数据不用怀疑，都已经被官方约谈过了，短焦郭静这几个都是抄的他的数据
Kirin X90 Refresh
4*2.45GHz Linxi big+4*2.1GHz Linxi big+2*2.15 Linxi middle（仅各核超频0.1-0.15GHz，其余几乎没动）
9030 Pro也会上PC，不清楚啥时候上。
X9下次迭代预计明年下
半年，规模到时候再说。
x90r先不谈，我们先来谈9030s，也就是超频版8030的实际水平
8030的实际GPU水平已经可以说是十分甚至9分的接近甚至超过9020，相当于7+g2水平接近
CPU超过9020，单核9030p才2.75g，8030也就是9030s已经达到2.7G了，远超9020的2.5ghz，接近，甚至达到了7+g2～7+g3水平
实际综合来看综合性能就是超过9020水平
麒麟9030的N+3基本实现了新凯来专利里5nm级别metal pitch
看了下各种参数对比，纯参数而言，这N+3工艺已经进入到其他厂商DUV商业生产的未知领域了。因为这参数的时候其他竞争对手都转向了EUV生产了，没有在DUV商业生产这个参数的工艺了。下面详细展开说说
芯片制造后段（BEOL层）已经实现了前无古人的纯duv制造metal pitch 30nm（英特尔也用了一张euv光罩才实现），相比n+2更是实现了44nm到30nm的激进微缩。只不过中段（MEOL）和前段（FEOL）微缩程度没跟上，导致没有彻底实现台积电标准n5，而MEOL层和光刻机无关，所以smic有机会继续演进，实现纯n5级别密度。
这次N+3有个特点，M0微缩得很激进，到了产业5nm附近水准，然而Cell height跟不上，所以只有微缩到228nm，这部分跟FEOL的缩小限制有关（也可能是因为MEOL某些制程能力导致FEOL无法缩那么小，就不细讲了）。
但是由于目前N+3的30nm M0 pitch，目前在228nm cell height下是塞入了5根track，这代表SMIC的BEOL已经可以在不增加难度keep在30nm pitch情况下，只要FEOL的微缩以后有跟得上，是可以借由将M0 track减少到最小的4根，是cell height微缩到198nm。
因此针对未来的路线，我猜明年市面产品应该是N+3的良率改良版，但是2027-2028产品也许有机会看到N+4（2026 risk run），尺寸考量到Gate pitch目前SMIC的微缩困难，G54H198（密度1378）应该是有机会的。
再配合刚刚的EUV消息，制程演进判断我觉得是：
2027-2028 DUV版 N+4（用于2028-2029市面产品）
→2028 EUV版N+4（2029市面芯片用到）
→2030 EUV版N-5 or 3nm芯片
SAQP如果技术工程体系完成构建，0.33NA EUV可以去死了。SAQP工程可用极限是20nm，那么30nm是可以实用化的。28nm就是TSMC N4，SAQP无非就是材料消耗大，仅此而已。但是对于大陆这点缺点微不足道。
那么SAQP实现N4 N3 pp就不是什么不可能的事儿，因为Intel已经趟过了，Intel 7实现了34nm，金属层实现了36nm，那么从36→30 Intel实际上也实现了，只不过EUV可以降低整体成本。
这才是Intel 4导入EUV的真实原因。但是这个成本比例对于大陆而言可以接受。eCu也是公开的。
说明30nm无论是工艺还是材料都有先行者趟过水了，后来者只要去试错堆出来，而中芯国际的N+1/N+2其实就是对Intel的追随，那么做SAQP的N+3 N+4更加无可厚非，SAQP的Fin Pitch容易但是BEOL难，所以需要攻克的难题不多，MMP SADP 40nm大家都能做了，现在谁能拿下MMP SAQP 30nm，那么就不存在卡脖子了，全球只有Intel完成了产线i-SAQP MMP 30nm，台积电走的是EUV跳线取巧，但是EUV单次曝光极限26nm，N3已经突破26nm了，结果很悲惨，24nm只在研发线完成，产线量产工程问题太多，所以台积电只能用EUV多重曝光，然而在N3B上摔得很惨。
一般建议EUV双重曝光直接上18nm，而不是在24nm这个危险区间游戏。避开缺陷悬崖。但是18nm不上BS-PDN就会崩，毕竟SRAM读写线与供电，没有背面供电缩减不下来。
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