省流：8g2水平
9000s 平均21.7fps
9020平均720P，35幀
9030p 39幀
9030s CPU接近9030p，GPU接近9020
9030s 8030性能分析，還有9030P工藝分析
還有麒麟9050還有第二彈鴻蒙PC
麒麟9050的參數已經被提前爆出來了，CPU1*3.05+3*2.75+4*2.25+2*2.05
gpu馬良950，8CU
npu80T算力
高通小吧給的數據，已經爆料過9000S，9010，9020，9030pro和甚至p90pm上面的那顆9030S的參數都爆料了
8030超頻版9030S
1*2.85+3*2.25+4*1.75
3CU 933MHz
小樹的數據不用懷疑，都已經被官方約談過了，短焦郭靜這幾個都是抄的他的數據
Kirin X90 Refresh
4*2.45GHz Linxi big+4*2.1GHz Linxi big+2*2.15 Linxi middle（僅各核超頻0.1-0.15GHz，其餘幾乎沒動）
9030 Pro也會上PC，不清楚啥時候上。
X9下次迭代預計明年下
半年，規模到時候再說。
x90r先不談，我們先來談9030s，也就是超頻版8030的實際水平
8030的實際GPU水平已經可以說是十分甚至9分的接近甚至超過9020，相當於7+g2水平接近
CPU超過9020，單核9030p才2.75g，8030也就是9030s已經達到2.7G了，遠超9020的2.5ghz，接近，甚至達到了7+g2～7+g3水平
實際綜合來看綜合性能就是超過9020水平
麒麟9030的N+3基本實現了新凱來專利裏5nm級別metal pitch
看了下各種參數對比，純參數而言，這N+3工藝已經進入到其他廠商DUV商業生產的未知領域了。因爲這參數的時候其他競爭對手都轉向了EUV生產了，沒有在DUV商業生產這個參數的工藝了。下面詳細展開說說
芯片製造後段（BEOL層）已經實現了前無古人的純duv製造metal pitch 30nm（英特爾也用了一張euv光罩才實現），相比n+2更是實現了44nm到30nm的激進微縮。只不過中段（MEOL）和前段（FEOL）微縮程度沒跟上，導致沒有徹底實現臺積電標準n5，而MEOL層和光刻機無關，所以smic有機會繼續演進，實現純n5級別密度。
這次N+3有個特點，M0微縮得很激進，到了產業5nm附近水準，然而Cell height跟不上，所以只有微縮到228nm，這部分跟FEOL的縮小限制有關（也可能是因爲MEOL某些製程能力導致FEOL無法縮那麼小，就不細講了）。
但是由於目前N+3的30nm M0 pitch，目前在228nm cell height下是塞入了5根track，這代表SMIC的BEOL已經可以在不增加難度keep在30nm pitch情況下，只要FEOL的微縮以後有跟得上，是可以藉由將M0 track減少到最小的4根，是cell height微縮到198nm。
因此針對未來的路線，我猜明年市面產品應該是N+3的良率改良版，但是2027-2028產品也許有機會看到N+4（2026 risk run），尺寸考量到Gate pitch目前SMIC的微縮困難，G54H198（密度1378）應該是有機會的。
再配合剛剛的EUV消息，製程演進判斷我覺得是：
2027-2028 DUV版 N+4（用於2028-2029市面產品）
→2028 EUV版N+4（2029市面芯片用到）
→2030 EUV版N-5 or 3nm芯片
SAQP如果技術工程體系完成構建，0.33NA EUV可以去死了。SAQP工程可用極限是20nm，那麼30nm是可以實用化的。28nm就是TSMC N4，SAQP無非就是材料消耗大，僅此而已。但是對於大陸這點缺點微不足道。
那麼SAQP實現N4 N3 pp就不是什麼不可能的事兒，因爲Intel已經趟過了，Intel 7實現了34nm，金屬層實現了36nm，那麼從36→30 Intel實際上也實現了，只不過EUV可以降低整體成本。
這纔是Intel 4導入EUV的真實原因。但是這個成本比例對於大陸而言可以接受。eCu也是公開的。
說明30nm無論是工藝還是材料都有先行者趟過水了，後來者只要去試錯堆出來，而中芯國際的N+1/N+2其實就是對Intel的追隨，那麼做SAQP的N+3 N+4更加無可厚非，SAQP的Fin Pitch容易但是BEOL難，所以需要攻克的難題不多，MMP SADP 40nm大家都能做了，現在誰能拿下MMP SAQP 30nm，那麼就不存在卡脖子了，全球只有Intel完成了產線i-SAQP MMP 30nm，臺積電走的是EUV跳線取巧，但是EUV單次曝光極限26nm，N3已經突破26nm了，結果很悲慘，24nm只在研發線完成，產線量產工程問題太多，所以臺積電只能用EUV多重曝光，然而在N3B上摔得很慘。
一般建議EUV雙重曝光直接上18nm，而不是在24nm這個危險區間遊戲。避開缺陷懸崖。但是18nm不上BS-PDN就會崩，畢竟SRAM讀寫線與供電，沒有背面供電縮減不下來。
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