容量最高360TB、永久保存！我國“玻璃硬盤”年底量產

來源——硬件世界

據中國光谷官方公衆號報道，華中科技大學武漢光電國家研究中心張靜宇和團隊打造的“玻璃硬盤”將在今年底落地產業化，正與全國範圍的數據中心展開應用接洽。

未來，將率先服務互聯網數據中心、AI大模型訓練數據存儲及歷史檔案長期保存等關鍵領域。

該項技術榮獲2024年全國顛覆性技術創新大賽卓越獎，依託納米光柵結構並以玻璃作爲存儲介質，利用飛秒激光在玻璃內部寫入和讀取數據，堪稱目前壽命最長且超高密度的數據存儲方案。

該團隊攻克了玻璃多維存儲技術中寫入速度慢的核心問題，開發轉動伺服光驅系統，讀寫速度快、體積小、成本低。

目前，設備已實現全國產化，具備自主知識產權，未來可廣泛用於檔案存儲、數據中心及雲存儲市場，推動數據存儲技術的革命性進步，顛覆現有溫冷數據存儲技術。

張靜宇表示表示：“我們不能再依賴國外傳統存儲介質路徑，必須有安全自主的智能存儲設備。”

一塊巴掌大的玻璃硬盤，容量最高達360TB，可存儲2.5萬部高清電影，並且可永久保留，一次寫入海量數據，將“永如石刻”。

這種存儲方式不受電磁干擾、溫度變化、溼度波動等環境因素影響，對於需要長期保存的珍貴歷史資料、重要科研成果等數據而言，具有極高的價值。

比如檔案管理領域，可永久保存各類歷史檔案、珍貴文獻；在醫療領域，能長期存儲患者的病歷數據、醫學影像資料等；在金融領域，對於交易記錄、客戶資料等重要數據的長期安全存儲提供保障。

內存方面，隨着AMD新一代線程撕裂者PRO工作站CPU發售，芝奇正式推出了專爲該處理器打造的T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) RDIMM超頻內存。

據介紹，本次推出的T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8) 超高規格套裝，結合了512GB大容量及CL38低延遲的夢幻組合。

該內存採用芝奇最新16層DDR5 R-DIMM PCB，相較於傳統的8層或10層板設計，可有效提升內存速度、強化信號完整性、並降低信號干擾，即使在高負載下也能確保穩定高效數據傳輸。

該內存還引入了AMD EXPO超頻技術，適用於企業級或個人使用的數據運算中心、人工智能、與機器學習平臺，或各類高效能科學運算環境。

由於模組需直接從主板獲取12V電壓輸入，因此在設計上引入了先進的保護機制，爲防止瞬態電壓突波與靜電放電 (ESD)，每個模組均配備高質量瞬態電壓抑制 (TVS) 二極管與表面黏着技術 (SMT) 保險絲，形成穩固的雙重防護設計。

目前該內存搭配最新AMD線程撕裂者PRO 9945WX處理器及ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE主板通過燒機測試，以下爲測試截圖：

芝奇全新T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) R-DIMM超頻內存套裝將於今年8月於全球各地陸續開售，具體價格暫未公佈。

此外隨着生成式AI、高效能運算（HPC）和數據中心對內存頻率與效率需求的快速提升，新一代內存標準DDR6正朝着量產普及邁進。

據報道，業界預估DDR6將於2027年進入大規模普及期。

目前三星、美光與SK海力士等全球三大DRAM原廠，已率先啓動開發計劃，聚焦於DDR6芯片、控制器與封裝模組的技術突破與產品佈局。

根據JEDEC的推進時間表，DDR6主規範已於2024年底完成草案，LPDDR6草案也於2025年第二季對外發布，預計2026年將進入平臺測試與驗證階段。

業者分析，DDR6在效能與架構方面皆實現重大突破，起始速率達8800MT/s，產品生命週期內最高可達17600 MT/s，超頻模塊最終可能達到 21000MT/s的速度，整體效能較DDR5提升約2至3倍。

在架構方面，DDR6採用4×24-bit通道設計，相較DDR5的2×32-bit，在平行處理效率、數據流通與頻率使用上更具優勢，但同時也對模組I/O設計提出更高要求。

與此同時，由JEDEC標準化的CAMM2，正成爲DDR6時代的主流解決方案，CAMM2結合高頻寬、高密度、低阻抗與薄型化設計，成功解決DDR5中288引腳DIMM插槽限制。