来源——硬件世界
据中国光谷官方公众号报道,华中科技大学武汉光电国家研究中心张静宇和团队打造的“玻璃硬盘”将在今年底落地产业化,正与全国范围的数据中心展开应用接洽。
未来,将率先服务互联网数据中心、AI大模型训练数据存储及历史档案长期保存等关键领域。
该项技术荣获2024年全国颠覆性技术创新大赛卓越奖,依托纳米光栅结构并以玻璃作为存储介质,利用飞秒激光在玻璃内部写入和读取数据,堪称目前寿命最长且超高密度的数据存储方案。
该团队攻克了玻璃多维存储技术中写入速度慢的核心问题,开发转动伺服光驱系统,读写速度快、体积小、成本低。
目前,设备已实现全国产化,具备自主知识产权,未来可广泛用于档案存储、数据中心及云存储市场,推动数据存储技术的革命性进步,颠覆现有温冷数据存储技术。
张静宇表示表示:“我们不能再依赖国外传统存储介质路径,必须有安全自主的智能存储设备。”
一块巴掌大的玻璃硬盘,容量最高达360TB,可存储2.5万部高清电影,并且可永久保留,一次写入海量数据,将“永如石刻”。
这种存储方式不受电磁干扰、温度变化、湿度波动等环境因素影响,对于需要长期保存的珍贵历史资料、重要科研成果等数据而言,具有极高的价值。
比如档案管理领域,可永久保存各类历史档案、珍贵文献;在医疗领域,能长期存储患者的病历数据、医学影像资料等;在金融领域,对于交易记录、客户资料等重要数据的长期安全存储提供保障。
内存方面,随着AMD新一代线程撕裂者PRO工作站CPU发售,芝奇正式推出了专为该处理器打造的T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) RDIMM超频内存。
据介绍,本次推出的T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8) 超高规格套装,结合了512GB大容量及CL38低延迟的梦幻组合。
该内存采用芝奇最新16层DDR5 R-DIMM PCB,相较于传统的8层或10层板设计,可有效提升内存速度、强化信号完整性、并降低信号干扰,即使在高负载下也能确保稳定高效数据传输。
该内存还引入了AMD EXPO超频技术,适用于企业级或个人使用的数据运算中心、人工智能、与机器学习平台,或各类高效能科学运算环境。
由于模组需直接从主板获取12V电压输入,因此在设计上引入了先进的保护机制,为防止瞬态电压突波与静电放电 (ESD),每个模组均配备高质量瞬态电压抑制 (TVS) 二极管与表面黏着技术 (SMT) 保险丝,形成稳固的双重防护设计。
目前该内存搭配最新AMD线程撕裂者PRO 9945WX处理器及ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE主板通过烧机测试,以下为测试截图:
芝奇全新T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) R-DIMM超频内存套装将于今年8月于全球各地陆续开售,具体价格暂未公布。
此外随着生成式AI、高效能运算(HPC)和数据中心对内存频率与效率需求的快速提升,新一代内存标准DDR6正朝着量产普及迈进。
据报道,业界预估DDR6将于2027年进入大规模普及期。
目前三星、美光与SK海力士等全球三大DRAM原厂,已率先启动开发计划,聚焦于DDR6芯片、控制器与封装模组的技术突破与产品布局。
根据JEDEC的推进时间表,DDR6主规范已于2024年底完成草案,LPDDR6草案也于2025年第二季对外发布,预计2026年将进入平台测试与验证阶段。
业者分析,DDR6在效能与架构方面皆实现重大突破,起始速率达8800MT/s,产品生命周期内最高可达17600 MT/s,超频模块最终可能达到 21000MT/s的速度,整体效能较DDR5提升约2至3倍。
在架构方面,DDR6采用4×24-bit通道设计,相较DDR5的2×32-bit,在平行处理效率、数据流通与频率使用上更具优势,但同时也对模组I/O设计提出更高要求。
与此同时,由JEDEC标准化的CAMM2,正成为DDR6时代的主流解决方案,CAMM2结合高频宽、高密度、低阻抗与薄型化设计,成功解决DDR5中288引脚DIMM插槽限制。
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