三星3nm良率翻至3倍！仍落後於臺積電

據媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經實現了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落後於競爭對手臺積電。

除此之外，臺積電還宣佈今年將3納米晶圓的產量擴大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對手臺積電的機會。

報道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，並在功耗、性能和邏輯區域方面進行了改進。

然而，這並沒有爲三星吸引更多客戶。一份報告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業在可預見的未來將繼續選擇臺積電。

本月初，韓國媒體報道稱，三星電子已經通知客戶和合作夥伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名爲2納米工藝。

一位業內人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名爲2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉爲了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同。”

來源：快科技

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