9 月 4 日消息，華爲半導體負責人何庭波，在此前公佈的論文中，進一步公開了麒麟9030 Pro與最新麒麟2026款（或命名麒麟9050 Pro）的，各項參數對比，現彙總如下：
一、製程工藝
◆ 製程工藝：僅作進一步優化，整體保持不變，僅靠 LogicFolding 架構實現以下效果！
◆ 晶體管密度：155 → 238 MTr/mm²，提升 53.5%！
——2031 年預計實現 400+MTr / mm² 晶體管密度，目標達到 臺積電1.4 納米制程的同等水平！
二、CPU
【1】單核數據對比（測試平臺GeekBench 6）
◆ 核心頻率：單核最高頻率由，9030Pro的最高2.75GHz提高至3.1GHz，電壓保持不變；
——相同頻率下，電壓由前代的1.1V降低至1.0V。
◆ 單核性能：相同測試條件下，單核性能由前代1854分提高至2084分，性能提升約12.4%，功耗增加約14%！
——相同性能下單核功耗暴降23%！
【2】CPU多核數據
◆ CPU功耗：功耗降低 41%，核心供電電壓從 1.1V 降至 0.9V，性能保持不變；
——相同電壓下功耗增加11%。
◆ CPU規格：大核（P 核）主頻提升 12.7%，單核心時鐘緩衝器減少 50%、時鐘偏移降低 25%、佈線總長縮短 30%；
——預計2031 年實現5.0GHz 主頻。
三、GPU
◆ 遊戲幀率：遊戲幀率提升42%，功耗增加29%；
——遊戲幀率保持相同時，電壓由0.8V下降至0.6V，功耗暴降58%！
四、NPU
◆ 理論算力：電壓由前代的0.85V，下降至0.7V，且性能暴漲141%，功耗小幅提升37%！
——NPU算力飛躍式升級！
◆ 能效：與前代性能相同時，功耗暴降66%，電壓僅0.55V！
五、存儲規格
◆ 預計全球首發支持LPDDR6內存+UFS5.0超高性能平臺！
◆ SRAM 存儲工作頻率提升 40% 以上；
六、封裝散熱設計
◆ 片上高速互聯面積縮減 55%，供電穩定性提升。
◆ 採用選擇性局部摺疊（僅在性能關鍵路徑使用），不整顆芯片全堆疊，控制散熱壓力。
——未來會發展 3~4 層全多層摺疊；
◆ 小結：從離散優化（模塊級，誰的模塊放哪層）變成連續優化（單元級，每個邏輯門單獨決定放哪層）。
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