AMD：超低延遲和自動超頻的新內存將在6月到來，最高提高15%Low幀

AMD EXPO 1.2 新增超低延遲 DDR5 內存模式

AMD 正在爲自家 EXPO 內存認證標準 推出全新擴展功能 ——EXPO 超低延遲模式（EXPO ULL）。這項新技術專爲銳龍平臺的 DDR5 內存打造，搭配該標準的全新內存模組預計將於 6 月正式上市。

EXPO 超低延遲模式是 EXPO 1.2 版本更新 的重要組成部分。該功能可爲兼容的 DDR5 內存套件開啓低延遲模式，同時支持自動內存超頻與更精細化的參數調校。AMD 表示，這項技術能夠有效提升遊戲的平均幀率與 1% 低幀率表現。

根據 AMD 給出的測試數據：

相較於遵循 JEDEC 行業標準的普通 DDR5 內存，EXPO ULL 模式可將遊戲平均幀率最高提升 13%；對比目前主流的 EXPO 內存預設方案，平均幀率也能再有 4% 的提升。

在反映幀率穩定性的1% 低幀率指標上，該模式相對 JEDEC 標準內存最高提升 15%，相對現有 EXPO 預設同樣提升 4%。

本次測試基於銳龍 9 9700X 平臺完成，共覆蓋 30 餘款遊戲。

在內存延遲方面，搭載 EXPO ULL 模式的內存，相比常規 DDR5-6000 內存套件，延遲可降低 5~7 納秒。

此前曝光的 EXPO 1.2 相關參數文檔也顯示，新標準新增了多項可調參數，包括超低延遲功能開關、tREFI、tRRDS、tWR 內存時序以及 VDDP 電壓等。

AMD 同時公佈了首批推出 EXPO ULL 規格內存的合作品牌，分別是：芝奇、金士頓駭客神條、科賦、雷克沙、十銓、威博、威剛 XPG以及影馳。

上述品牌的新品內存均計劃在 6 月發售，而主板端的完整適配與 BIOS 支持，則需要各主板廠商後續跟進。目前 AMD 推送的 AGESA 1.3.0.1 與 1.3.0.1b 版本固件，已經爲 AM5 接口主板新增了大量 DDR5 內存調校選項。