AMD：超低延迟和自动超频的新内存将在6月到来，最高提高15%Low帧

AMD EXPO 1.2 新增超低延迟 DDR5 内存模式

AMD 正在为自家 EXPO 内存认证标准 推出全新扩展功能 ——EXPO 超低延迟模式（EXPO ULL）。这项新技术专为锐龙平台的 DDR5 内存打造，搭配该标准的全新内存模组预计将于 6 月正式上市。

EXPO 超低延迟模式是 EXPO 1.2 版本更新 的重要组成部分。该功能可为兼容的 DDR5 内存套件开启低延迟模式，同时支持自动内存超频与更精细化的参数调校。AMD 表示，这项技术能够有效提升游戏的平均帧率与 1% 低帧率表现。

根据 AMD 给出的测试数据：

相较于遵循 JEDEC 行业标准的普通 DDR5 内存，EXPO ULL 模式可将游戏平均帧率最高提升 13%；对比目前主流的 EXPO 内存预设方案，平均帧率也能再有 4% 的提升。

在反映帧率稳定性的1% 低帧率指标上，该模式相对 JEDEC 标准内存最高提升 15%，相对现有 EXPO 预设同样提升 4%。

本次测试基于锐龙 9 9700X 平台完成，共覆盖 30 余款游戏。

在内存延迟方面，搭载 EXPO ULL 模式的内存，相比常规 DDR5-6000 内存套件，延迟可降低 5~7 纳秒。

此前曝光的 EXPO 1.2 相关参数文档也显示，新标准新增了多项可调参数，包括超低延迟功能开关、tREFI、tRRDS、tWR 内存时序以及 VDDP 电压等。

AMD 同时公布了首批推出 EXPO ULL 规格内存的合作品牌，分别是：芝奇、金士顿骇客神条、科赋、雷克沙、十铨、威博、威刚 XPG以及影驰。

上述品牌的新品内存均计划在 6 月发售，而主板端的完整适配与 BIOS 支持，则需要各主板厂商后续跟进。目前 AMD 推送的 AGESA 1.3.0.1 与 1.3.0.1b 版本固件，已经为 AM5 接口主板新增了大量 DDR5 内存调校选项。