固態硬盤閃存類型及演進下篇：TLC、QLC、PLC……（？）

書接上回，在介紹了遠古SLC、中古MLC和一些代表性的老固態後，正式步入時下正值普及率和價格巔峯的TLC：

還是老規矩，本文列出的固態硬盤型號和品牌僅作舉例且十分客觀，不做推薦與不推薦

四、TLC（Triple-Level Cell，三層單元）

2009 年，Intel 與美光聯合推出 34nm 製程的 TLC NAND 閃存芯片，完成 TLC 技術的首次工程驗證，解決了基礎的電壓控制與糾錯問題。

依舊巨頭強強聯手，依舊錶面兄弟情，後續關於傲騰的開發也是二者聯合

2013-2016 年，TLC 技術快速迭代，算法的更新和普及，大幅解決了 TLC 原始誤碼率高的問題，逐步替代 MLC 成爲消費級主流。

2018 年至今，TLC 始終是消費級 SSD 的主流，是當前技術最成熟、產能最大、應用最廣的 NAND 閃存類型。

特點：

單單元存儲3bit 數據，對應 8 種電壓狀態，存儲密度較 MLC 提升 50%，單位容量成本較 MLC 下降 30% 以上。

此時壽命已經不能算優點或缺點了，有前面二位壽星，TLC的壽命只能算中規中矩，不過對於普通消費者來說壽命依然很富裕甚至過剩。

拿一款消費級TLC裏壽命十分高的，在25年推出且牌子還不小的固態硬盤舉例吧——華爲坤靈 eKitStor Xtreme 201 1TB

僅作舉例，無任何立場！！！

華爲自研主控，長江存儲NAND顆粒，壽命方面1TB：2000 TBW，對比致態TiPlus7100s 1TB壽命爲600TBW（注意，該數據僅爲各廠商保修上限標註，實際使用壽命應該更高）。

（實際上如果不是硬盤內存價格詭異陡增的話本人確實想入手一塊花子的盤玩玩）

雖然不及上篇中的中古SLC、MLC硬盤壽命高，但憑藉更好的算法、協議、單位價格等優勢，以上述硬盤爲代表的TLC已經廣泛應用在各級市場。

TLC的缺點：

TLC目前的缺點其實並不明顯，無非就是滿盤以及出緩狀態下寫入性能、隨機讀寫性能有明顯衰減。以及早期2D NAND可靠性欠佳，但進入3D NAND後幾乎解決。（當然目前行情下價格其實也是缺點吧，但並不能怪技術本身）

五、QLC（Quad-Level Cell，四層單元）

2006 年，閃迪首次公佈 4bit/Cell 的 NAND 技術原型，完成 QLC 技術的理論驗證，是行業內首次提出 QLC 技術概念。

2017 年，三星、東芝（鎧俠）、美光完成 3D QLC NAND 的技術驗證，通過 3D 堆疊技術，解決了平面 QLC 可靠性極差的問題，具備了商用化基礎。

2018 年，Intel 發佈 660P 系列 SSD，是全球首款大規模商用的消費級 QLC SSD，開啓了 QLC 技術的產業化進程。

2022-2026 年，200 層以上 3D 堆疊技術成熟，QLC 的技術迭代明顯並且大規模進入輕薄本、臺式機、NAS 倉庫盤、數據中心冷存儲場景。

從06年公佈概念到18年大規模商用，QLC的研發明顯困難許多。其特點是單單元存儲4bit 數據，對應 16 種電壓狀態，存儲密度較 TLC 提升 33%，單顆芯片容量可輕鬆突破 2Tb，這也是QLC目前爲數不多的優勢……

價格呢？廠商成本雖然更低了但消費者購買價格卻比TLC低不了多少甚至持平或更高，成本優勢也就站在廠商立場說得過去。這裏以華爲坤靈 eKitStor Xtreme 200E舉例，其在2025年1月首發時售價如圖：

對比我個人在25年8月購買的西部數據SN5000 1TB價格：

缺點也很明顯了：壽命確實有點低了，低到甚至需要關注。緩存外持續寫入性能、高負載下寫入性能都較TLC大幅下降；斷電數據保持能力、寬溫適配能力也弱於 TLC。

當緩存用完時QLC速度如圖

這裏拿我能找到的消費級高耐久QLC硬盤，西部數據SN5100 1TB舉例：

壽命 TBW（5 年質保）：1TB：600 TBW；2TB：1200 TBW。在QLC 裏耐久偏高，接近入門 TLC 水平。用戶如果要採用該類型硬盤則個人建議僅用作讀取密集型、低寫入頻率、冷數據存放的場景使用。

還有一個有意思的現象要單獨說一下：

不管是華爲還是西數，他們的QLC硬盤型號往往都和自家TLC硬盤型號極爲相似，並且詳情頁通常也是小字說明採用QLC顆粒，大家選購時要考證考證再考證！

六、後續演進技術路線：PLC（Penta-Level Cell，五層單元）HLC（Hex-Level Cell，六層單元）OLC（Octa-Level Cell，八層單元）

除了PLC，其餘均處於畫餅狀態。

2020 年前後，三星、鎧俠、SK 海力士、美光等頭部廠商同步啓動 PLC NAND 的研發，核心目標是進一步提升存儲密度，適配 AI 時代超大規模冷數據存儲需求。

2026 年，SK 海力士已完成 PLC NAND 的工程樣品驗證，三星、鎧俠完成原型開發，預計 2027 年進入小批量試產，率先落地企業級冷存儲場景。

PLC單單元存儲5bit 數據，原生對應 32 種電壓狀態，存儲密度較 QLC 再提升 25%，單位容量成本進一步下降，單顆芯片容量可突破 4Tb。

通過從SLC到QLC的演進規律不難推演出後續隨着每單元存儲bit數據的進一步提高，壽命會進一步縮短（倘若沒有新技術加持的話），存儲密度提升率呈規律性下降，研發成本和難度會增高，但若量產後則單位成本會下降但下降率會萎縮，但具體情況就交給時間和廠商了，到時候我可能已經是中登了。

寫在最後：

NAND 閃存 60 餘年的發展，始終圍繞密度與成本——可靠性與性能的平衡展開。從 SLC 到 QLC 的商用演進，單單元存儲比特數提升，單位容量成本下降，讓 SSD 成爲百元級消費電子標配；而 3D NAND 垂直堆疊技術的成熟，是多 bit 單元普及的核心支撐，突破了平面製程的物理極限，彌補了多 bit 單元帶來的可靠性短板。