固态硬盘闪存类型及演进下篇：TLC、QLC、PLC……（？）

书接上回，在介绍了远古SLC、中古MLC和一些代表性的老固态后，正式步入时下正值普及率和价格巅峰的TLC：

还是老规矩，本文列出的固态硬盘型号和品牌仅作举例且十分客观，不做推荐与不推荐

四、TLC（Triple-Level Cell，三层单元）

2009 年，Intel 与美光联合推出 34nm 制程的 TLC NAND 闪存芯片，完成 TLC 技术的首次工程验证，解决了基础的电压控制与纠错问题。

依旧巨头强强联手，依旧表面兄弟情，后续关于傲腾的开发也是二者联合

2013-2016 年，TLC 技术快速迭代，算法的更新和普及，大幅解决了 TLC 原始误码率高的问题，逐步替代 MLC 成为消费级主流。

2018 年至今，TLC 始终是消费级 SSD 的主流，是当前技术最成熟、产能最大、应用最广的 NAND 闪存类型。

特点：

单单元存储3bit 数据，对应 8 种电压状态，存储密度较 MLC 提升 50%，单位容量成本较 MLC 下降 30% 以上。

此时寿命已经不能算优点或缺点了，有前面二位寿星，TLC的寿命只能算中规中矩，不过对于普通消费者来说寿命依然很富裕甚至过剩。

拿一款消费级TLC里寿命十分高的，在25年推出且牌子还不小的固态硬盘举例吧——华为坤灵 eKitStor Xtreme 201 1TB

仅作举例，无任何立场！！！

华为自研主控，长江存储NAND颗粒，寿命方面1TB：2000 TBW，对比致态TiPlus7100s 1TB寿命为600TBW（注意，该数据仅为各厂商保修上限标注，实际使用寿命应该更高）。

（实际上如果不是硬盘内存价格诡异陡增的话本人确实想入手一块花子的盘玩玩）

虽然不及上篇中的中古SLC、MLC硬盘寿命高，但凭借更好的算法、协议、单位价格等优势，以上述硬盘为代表的TLC已经广泛应用在各级市场。

TLC的缺点：

TLC目前的缺点其实并不明显，无非就是满盘以及出缓状态下写入性能、随机读写性能有明显衰减。以及早期2D NAND可靠性欠佳，但进入3D NAND后几乎解决。（当然目前行情下价格其实也是缺点吧，但并不能怪技术本身）

五、QLC（Quad-Level Cell，四层单元）

2006 年，闪迪首次公布 4bit/Cell 的 NAND 技术原型，完成 QLC 技术的理论验证，是行业内首次提出 QLC 技术概念。

2017 年，三星、东芝（铠侠）、美光完成 3D QLC NAND 的技术验证，通过 3D 堆叠技术，解决了平面 QLC 可靠性极差的问题，具备了商用化基础。

2018 年，Intel 发布 660P 系列 SSD，是全球首款大规模商用的消费级 QLC SSD，开启了 QLC 技术的产业化进程。

2022-2026 年，200 层以上 3D 堆叠技术成熟，QLC 的技术迭代明显并且大规模进入轻薄本、台式机、NAS 仓库盘、数据中心冷存储场景。

从06年公布概念到18年大规模商用，QLC的研发明显困难许多。其特点是单单元存储4bit 数据，对应 16 种电压状态，存储密度较 TLC 提升 33%，单颗芯片容量可轻松突破 2Tb，这也是QLC目前为数不多的优势……

价格呢？厂商成本虽然更低了但消费者购买价格却比TLC低不了多少甚至持平或更高，成本优势也就站在厂商立场说得过去。这里以华为坤灵 eKitStor Xtreme 200E举例，其在2025年1月首发时售价如图：

对比我个人在25年8月购买的西部数据SN5000 1TB价格：

缺点也很明显了：寿命确实有点低了，低到甚至需要关注。缓存外持续写入性能、高负载下写入性能都较TLC大幅下降；断电数据保持能力、宽温适配能力也弱于 TLC。

当缓存用完时QLC速度如图

这里拿我能找到的消费级高耐久QLC硬盘，西部数据SN5100 1TB举例：

寿命 TBW（5 年质保）：1TB：600 TBW；2TB：1200 TBW。在QLC 里耐久偏高，接近入门 TLC 水平。用户如果要采用该类型硬盘则个人建议仅用作读取密集型、低写入频率、冷数据存放的场景使用。

还有一个有意思的现象要单独说一下：

不管是华为还是西数，他们的QLC硬盘型号往往都和自家TLC硬盘型号极为相似，并且详情页通常也是小字说明采用QLC颗粒，大家选购时要考证考证再考证！

六、后续演进技术路线：PLC（Penta-Level Cell，五层单元）HLC（Hex-Level Cell，六层单元）OLC（Octa-Level Cell，八层单元）

除了PLC，其余均处于画饼状态。

2020 年前后，三星、铠侠、SK 海力士、美光等头部厂商同步启动 PLC NAND 的研发，核心目标是进一步提升存储密度，适配 AI 时代超大规模冷数据存储需求。

2026 年，SK 海力士已完成 PLC NAND 的工程样品验证，三星、铠侠完成原型开发，预计 2027 年进入小批量试产，率先落地企业级冷存储场景。

PLC单单元存储5bit 数据，原生对应 32 种电压状态，存储密度较 QLC 再提升 25%，单位容量成本进一步下降，单颗芯片容量可突破 4Tb。

通过从SLC到QLC的演进规律不难推演出后续随着每单元存储bit数据的进一步提高，寿命会进一步缩短（倘若没有新技术加持的话），存储密度提升率呈规律性下降，研发成本和难度会增高，但若量产后则单位成本会下降但下降率会萎缩，但具体情况就交给时间和厂商了，到时候我可能已经是中登了。

写在最后：

NAND 闪存 60 余年的发展，始终围绕密度与成本——可靠性与性能的平衡展开。从 SLC 到 QLC 的商用演进，单单元存储比特数提升，单位容量成本下降，让 SSD 成为百元级消费电子标配；而 3D NAND 垂直堆叠技术的成熟，是多 bit 单元普及的核心支撑，突破了平面制程的物理极限，弥补了多 bit 单元带来的可靠性短板。