RTX 50系顯卡要用臺積電3nm工藝：5090狂堆料

快科技11月19日消息，據國外媒體報道稱，英偉達RTX 50系列顯卡所採用的GB200系列GPU將採用臺積電3nm工藝。

從曝光的最新細節看，代號爲GB202的旗艦產品RTX 5090的CUDA內核增加50%，總數達到24576個。這比基於圖靈的RTX 2080的內核多出8倍多。

此外，旗艦新卡的內存帶寬也將通過使用32Gbps GDDR7提升52%，高於當前RTX 4090的GDDR6X。

時鐘速度預計將提高15%，這是最大的升級之一。這將使RTX 5090的頻率提升到2.9GHz，在遊戲工作負載中輕鬆超過3GHz。現有 RTX 4090 的最高頻率爲2.52GHz。

爲了進一步提升性能，NVIDIA計劃將二級緩存增加兩倍，達到 128MB，遠遠超過AMD RX 7900 XTX上的 96MB。這種額外的緩存旨在最大限度地利用 GDDR7 帶來的更高內存帶寬。

如果 NVIDIA 能夠實現這些雄心勃勃的目標，那麼僅從規格上看，RTX 5090 的性能將比RTX 4090高出70%以上。

面對4090的下架，5090還會在中國發售嗎？

來源：快科技

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