英特爾先進製程再遇挫高通已停止開發Intel 20A芯片

在兩年前的“英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發佈會”上，英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）雄心勃勃地公佈了最新工藝路線圖，力求在四年裏邁過5個製程節點，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A，目標半導體制造工藝可以在2025年趕上臺積電（TSMC），同時圍繞“IDM 2.0”戰略打造世界一流的英特爾代工服務（IFS）。

英特爾在過去兩年裏，多次表示先進工藝開發方面進展順利。今年3月，英特爾高級副總裁兼中國區董事長王銳在接受媒體採訪時表示，Intel 20A和Intel 18A工藝製程已測試流片，並堅信到2025年能夠重新回領先地位。不過近日有分析師透露，高通可能已停止設計基於Intel 20A工藝的芯片，意味着Intel 18A工藝的研發和量產將面臨更高的不確定性和風險。

如果消息屬實，相信對於雄心勃勃的英特爾來說是一個嚴重的打擊。今年3月，英特爾才和Arm達成了協議，讓芯片設計者能夠基於Intel 18A工藝打造低功耗的SoC，首先聚焦的便是移動設備，而高通恰恰是該領域的龍頭企業。

按照英特爾的計劃，將在Intel 20A製程節點首次引入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術，從而開啓埃米時代。其中RibbonFET是對全環繞柵極晶體管（Gate All Around）的實現，將成爲英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電佈線需求來優化信號傳輸。

數天前，英特爾還發文專門介紹了PowerVia技術。英特爾表示，應用新技術後，芯片製造更像三明治，首先還是製造晶體管，然後添加互連層，接着翻轉晶圓並進行打磨，在晶體管底層接上電源線。背面供電一方面讓晶體管供電的路徑變得非常直接，可以減少信號串擾，降低功耗，將平臺電壓降低優化30%。另一方面，解決了晶體管尺寸不斷縮小帶來的互連瓶頸，實現了6%的頻率增益和超過90%的標準單元利用率。此外，英特爾還開發了全新的散熱技術，並在基於Intel 4的、經過充分驗證的測試芯片上進行了反覆調試，測試芯片展示了良好的散熱特性，PowerVia能達到了相當高的良率和可靠性指標。