横评确认：RX 9070XT中三星显存版较海力士版跑分落后1~2%

来源——AMP实验室

那差距很大了

知名测评博主bili@51972 近期发布了关于RX 9070XT的横评视频，测试了多达22款RX 9070XT非公版设计。其中发现，搭载三星 GDDR6 显存的型号较 SK 海力士版本存在微小性能差距，具体表现在 3D Mark SpeedWay 压力测试中，搭载三星显存的型号性能始终弱 1%-2%。

对此该博主咨询了 AMD 显卡的中国 FAE（现场应用工程师）团队，官方解释称“这是由于三星颗粒相较于海力士颗粒设定的时序略高所带来的性能差异”。

有资料称，三星采用更高密度的10-16nm工艺（1Y nm），而海力士使用21nm工艺。更高密度晶圆对信号完整性要求苛刻，放宽时序可提升良品率并控制成本。例如，低时序需更精密筛选颗粒，导致成本上升，而三星策略更侧重高频型号的量产可行性。

对普通用户而言，1-2%的性能差异几乎无感；但对极限场景（如超频竞赛或专业渲染），颗粒特性差异值得纳入决策，不过对于RX 9070XT这样的产品，我想不需要考虑太多。