橫評確認：RX 9070XT中三星顯存版較海力士版跑分落後1~2%

來源——AMP實驗室

那差距很大了

知名測評博主bili@51972 近期發佈了關於RX 9070XT的橫評視頻，測試了多達22款RX 9070XT非公版設計。其中發現，搭載三星 GDDR6 顯存的型號較 SK 海力士版本存在微小性能差距，具體表現在 3D Mark SpeedWay 壓力測試中，搭載三星顯存的型號性能始終弱 1%-2%。

對此該博主諮詢了 AMD 顯卡的中國 FAE（現場應用工程師）團隊，官方解釋稱“這是由於三星顆粒相較於海力士顆粒設定的時序略高所帶來的性能差異”。

有資料稱，三星採用更高密度的10-16nm工藝（1Y nm），而海力士使用21nm工藝。更高密度晶圓對信號完整性要求苛刻，放寬時序可提升良品率並控制成本。例如，低時序需更精密篩選顆粒，導致成本上升，而三星策略更側重高頻型號的量產可行性。

對普通用戶而言，1-2%的性能差異幾乎無感；但對極限場景（如超頻競賽或專業渲染），顆粒特性差異值得納入決策，不過對於RX 9070XT這樣的產品，我想不需要考慮太多。