臺積電豪言：我們的3nm就能打敗Intel 1.8nm！

Intel正在積極推進“四年五個製程節點”計劃，將在2024-2025年搞定20A、18A工藝，分別相當於2nm、1.8nm，尤其後者預計會反超臺積電，重奪領先。

對此，臺積電自然不會坐視不理，對自己的技術也非常自信。

臺積電總裁魏哲家聲稱，根據內部評估，臺積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A，而且更早推出、更成熟、更省成本。

他還強調，臺積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進，2025年推出的時候將成爲最先進的製程工藝。

Intel 20A/18A將會引入全環繞柵極晶體管RibbonFET，以及背部供電PowerVia。

臺積電的N3/N3E/N3P/N3X 3nm系列則依然是傳統的FinFET晶體管，2nm工藝上纔會上馬GAA全環繞晶體管。

其中，N2版本計劃2025年下半年量產，N2P版本計劃2026年底量產。

在過去的第三季度，5nm工藝爲臺積電貢獻了37％的收入，遙遙領先其他節點，其次是7nm 16％、28nm 10％、16nm 9％。

3nm在這個季度第一次爲臺積電創收，就帶來了約10.3億美元(感謝蘋果)。

相比之下，5nm工藝在2020年第三季度首次商用取得收入約9.7億美元，佔比約8％。

來源：快科技

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