1nm以下關鍵技術 英特爾研發2D芯片工藝

本文來源於：快科技

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由於半導體工藝越來越複雜，摩爾定律10多年來一直被認爲放緩甚至失效，10nm以下製造難度加大，未來10年還要進入1nm以下節點，迫切需要更先進的技術。

在這個領域，英特爾率先在22nm節點進入FinFET晶體管時代，在20A、18A節點上則使用了RibbonFET和PowerVia兩項新技術，再往後又需要改變晶體管結構了，英特爾的目標是全新的2D TMD材料。

其中的2D指的是單層原子組成的結晶體，TMD則是過渡金屬二硫化物的簡稱，具體包括二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）和二硒化鎢（WSe2）等材料，這些新材料可實現小於1nm的溝槽厚度，同時具有更好的帶隙和遷移率，也就是高性能、低功耗優勢。

製備2D TMD材料並不容易，爲此英特爾日前宣佈跟歐洲CEA-Leti達成合作協議，開發300mm晶圓上的2D TMD層轉移技術，後者是這方面的專家，可提供專業的鍵合及層轉移技術支持，便於英特爾製造出最終的硅基芯片。

這個過程可能需要很多年，英特爾的目標是2030年之後繼續擴展摩爾定律，也就是進一步提升晶體管密度，提升性能，降低成本功耗等。