驍龍 8 Elite Gen 6，跑分曝光：安卓單核最高分

9 月 10 日消息，型號爲 M1544F 的 小米 18 Pro Max現身 GeekBench 跑分庫；

——跑分頁面信息顯示 SM8975 主頻峯值高達到最高5.11GHz！

◆ 該機型在GeekBench7中，單核成績爲 3582 分，多核成績爲 12247 分。

◆ 此外，就數碼閒聊站爆料，該平臺採用LPDDR 5X內存，若改用LPDDR 6內存，單核預計突破3700分，多核預計突破13000分；

——預計單核最高提升約15.6%，多核最高提升約18.2%。

其餘相關配置信息彙總如下：

一、發售節點

◆ 高通現已通過 Instagram 官宣，於9 月 22 日至 24 日在夏威夷舉行2026驍龍峯會。

——從官方宣傳語：“兩個改變遊戲規則的產品”“機會翻倍”“雙 8 Elite”，等相關信息可以看出，2026驍龍峯預計會將推出兩款驍龍 8 Elite 6系列芯片。

二、售價

【1】預估售價：

◆ 據中國臺灣《工商時報》報道，高通驍龍 8 Elite Gen 6 Pro 預計將超過 300 美元（現匯率約合 2032 元人民幣）；

——《工商時報》還曾報道稱，聯發科天璣 9600 Pro 單顆採購價約爲 216 美元（現匯率約合 1463 元人民幣）。

【2】市場變化：

◆ 據悉高通已於7 月 24 日向客戶發送漲價通知，並表示新價格將適用於 9 月 1 日之後出貨的產品。

◆ 據悉芯片價格飆升的核心原因爲，上游廠商臺積電 N2P 單片晶圓報價已突破 3 萬美元（現匯率約合 20.3 萬元人民幣），較 3nm 工藝提升超兩成！

——與此同時，AI 需求爆發導致產能向 HBM 等高利潤產品傾斜，消費級 DRAM 和 NAND 閃存供應被嚴重擠壓，2026 年第一季度 DRAM 合約價環比暴漲 90% 至 95%！

——高通公司正準備提高芯片產品價格，表示公司已經無法繼續消化來自供應鏈的成本上漲壓力，同時也嘗試尋找新的零部件供應來源，漲幅將達到兩位數百分比！

◆ 據數碼閒聊站 爆料稱，驍龍 8E6 新旗艦預計起步 6K+，驍龍 8E6 Pro 可能更誇張；因此未來也會有不少新機沿用驍龍 8E5 留守 5K 檔內。

三、基礎規格

【SM8975】

◆ 製程工藝：臺積電N2P工藝，Die 尺寸約爲 12.6 × 10.67 mm•約 134 mm²，採用類三星 HPB封裝設計；

——驍龍 8 Elite Gen5的 Die 面積（126.2 mm²）。

◆ 命名：第六代驍龍 8 超級至尊版；

◆ CPU：2*5.11GHz超大核+3*4.03GHz大核+3*3.74GHz大核；

——共享 16MB L2，超大核的主頻突破5GHz；

◆ GPU：Adreno850，18MB GMEM；

◆ 存儲規格：支持 LPDDR6內存、UFS 5.0閃存；

——但考慮現有內存行情，驍龍還將進一步推出LPDDR5X版本。

◆ 新增特性：集成AI Frame Fusion功能，支持人工智能驅動的超分辨率與幀生成；

◆ 通信基帶：或搭載X105 調制解調器；

——調制解調器射頻部分：

❶ SDR765：支持 Sub-6 GHz，具備上行 2×2 MIMO、下行 4×4 MIMO、1024-QAM 及 n253、n255、n256 衛星頻段。

❷ 高階版SDR885：支持上下行同時 4×4 MIMO，具備上行 256-QAM、下行 1024-QAM，額外兼容兼容 Sub-6 GHz 和毫米波、3GPP Release 18。

驍龍 8 Elite Gen 6 Pro 芯片方框圖

【SM8950】

◆ 製程工藝：臺積電2nm；

◆ 命名暫定：第六代驍龍 8 至尊版；

◆ CPU：2+3+3 新一代 Oryan CPU 架構，共享 16MB L2，頻率更激進；

◆ GPU：A845，12MB GMEM；

◆ 外圍規格：支持 LPDDR5X，兼顧一定性能與功耗。

五、全新特性

【1】AI Frame Fusion功能

◆ 該功能基於GPU 着色器內的 2 個專爲加速 GEMM 和卷積運算而設計的矩陣 ALU 模塊實現。（SM8950中暫未發現該模塊，疑似SM8975獨佔！）

——可在超分辨率模式下結合運動矢量、深度緩衝區、低分辨率顏色緩衝區以及前一幀數據，將輸出畫面分辨率提升至 1080p 或 1440p；而幀生成模式則利用運動矢量和光流重投影技術，在兩個實際幀之間插入一個生成幀。

【2】全新封裝

◆ 據科技媒體 NotebookCheck 報道，高通第六代驍龍 8 至尊版 Pro（Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro）芯片已現身閒魚平臺。

◆ 曝光圖片中共有 2 顆芯片，均激光刻印 SM8975-100-BC 字樣，表明是該芯片的首個 LPDDR5X 工程樣品（ES）版本。

 ——兩顆芯片各自帶有批號：FC5528M5/FX602R8T：

•F 代表臺積電 (TSMC)；

•C 代表安靠 (Amkor) 的韓國工廠；

•5 代表 2025 年，52 代表第 52 周，封裝日期約爲 2025 年 12 月下旬；

•6 代表 2026 年，02 代表第 2 周，封裝日期約爲 2026 年 1 月上旬；

◆ 藉助圖片可以查看到，此前爆料中高通參考三星 Exynos 2600 芯片處理器的“HBP 散熱導流塊”設計方案；

——技術簡介：HPB封裝散熱技術，通過銅基散熱塊直接接觸處理器，利用高導熱散熱介質，迅速傳導芯片熱量至散熱結構，從而降低芯片溫度、提升性能穩定性。

◆ 相關爆料表示，高通雖然借鑑了Exynos 2600 處理器的成功思路，但內存封裝方式仍有不同：

•三星的 Exynos 2600 採用563 球 FBGA 封裝來支持 LPDDR5X 內存，整體封裝較小。

•高通8 Elite Gen 6 Pro需要支持 更高性能的LPDDR6 以及LPDDR5X內存，其中 LPDDR6 版本採用 1295 球 FBGA 封裝，而 LPDDR5X 版本採用 496 球 FBGA 封裝。

•這兩種封裝較大，使得減少了HPB散熱片與芯片高發熱區的接觸面積，預計整體封裝散熱提升小於三星的 Exynos 2600。

——據消息源 Reptalicant 爆料稱，得益於更先進的製程工藝以及更進一步的架構設計，驍龍 8 Elite Gen 6 Pro，有着顯著的能效提升，這將進一步緩解封裝散熱壓力。

◆ 此外，就iPhone 18 Pro Max，官方發佈會描述來看，A20 Pro 芯片將採用 WMCM 封裝方案，而非PoP（封裝疊封），依照蘋果官方發佈會說法，散熱介質將直觸熱源。

——結合進一步增大的VC均熱板，得益於散熱設計的大幅度優化，理論持續性能飛躍式提升40%！

——如圖所示PoP（封裝疊封）把存儲芯片直接堆疊在主芯片封裝上，更爲節省主板空間、佈線效率高。WMCM封裝可以將存儲芯片改爲移到芯片封裝側面，更有利於散熱性能提升。