麒麟9050Pro，正式發佈：功耗暴降41%！NPU性能暴漲141%！

◆ 註釋：

【1】主要數據來源於華爲半導體負責人何庭波，在此前公佈的論文中，進一步公開的麒麟9030 Pro與最新麒麟2026款（麒麟9050 Pro）的，各項參數對比；

【2】其中，將附帶2026年9月7日華爲最新產品發佈會上，公佈的麒麟9050Pro相較麒麟9020的，各項參數對比；

——首發平臺爲華爲 Mate XT 2 非凡大師。

一、製程工藝

◆ 製程工藝：僅作進一步優化，整體保持不變，僅靠 LogicFolding 架構實現以下效果！

◆ 晶體管密度：155 → 238 MTr/mm²，提升 53.5%！

——2031 年預計實現 400+MTr / mm² 晶體管密度，目標達到 臺積電1.4 納米制程的同等水平！

二、CPU

【1】基礎硬件規格

◆ 採用1•3.1GHz×Prime 超大核 + 2•Performance 性能大核 + 4•Efficiency 能效大核 + 2•Little 小核設計；

——支持靈犀 CPU 超線程技術，相較麒麟9020，單核提升 24%，多核併發提升 52%。

【2】單核性能對比（測試平臺GeekBench 6）

◆ 核心頻率：單核最高頻率由，9030Pro的最高2.75GHz提高至3.1GHz，電壓保持不變；

——相同頻率下，電壓由前代的1.1V降低至1.0V。

◆ 單核性能：相同測試條件下，單核性能由前代1854分提高至2084分，性能提升約12.4%，功耗增加約14%！

——相同性能下單核功耗暴降23%！

◆ CPU超大核，主頻提升 12.7%，單核心時鐘緩衝器減少 50%、時鐘偏移降低 25%、佈線總長縮短 30%；

——預計2031 年實現5.0GHz 主頻。

【3】CPU大核數據

◆ 功耗降低 41%，核心供電電壓從 1.1V 降至 0.9V，性能保持不變；

——相同電壓下功耗增加11%。

三、GPU

【1】基礎硬件規格

◆ 採用馬良 GPU架構，支持光追硬加速技術、5000 萬線實時光追技術；

——相較麒麟9020，渲染性能提升 142%，4K 導出提速 40%。

【2】遊戲場景優化

◆ 對比麒麟9030 Pro幀率提升42%，功耗增加29%；

——遊戲幀率保持相同時，電壓由0.8V下降至0.6V，功耗暴降58%！

四、NPU

【1】基礎硬件架構

◆ 採用自研達芬奇架構設計，配備行業首個端側 MoE 全模態大模型（30B 總參數）！

◆ 理論算力：電壓由前代的0.85V，下降至0.7V，且性能暴漲141%，功耗小幅提升37%！

——NPU算力飛躍式升級！

◆ 能效：與前代性能相同時，功耗暴降66%，電壓僅0.55V！

五、通訊基帶

◆ 內部集成新一代巴龍基帶，衛星尋呼成功率提升 42%！連星速度提升40%；

六、存儲規格

◆ 預計全球首發支持LPDDR6內存+UFS5.0閃存超高性能平臺！

◆ SRAM 存儲工作頻率提升 40% 以上；

七、散熱設計

【1】底層散熱設計

◆ 片上高速互聯面積縮減 55%，供電穩定性提升。

◆ 採用選擇性局部摺疊（僅在性能關鍵路徑使用），不整顆芯片全堆疊，控制散熱壓力。

——未來會發展 3~4 層全多層摺疊；

【2】封裝散熱優化

◆ 採用多通路導熱封裝；

——同時，在量產機型上配備超大 VC 石墨烯跨軸散熱系統，對比前代麒麟9020平臺，遊戲溫升下降 2.5℃。

◆ 小結：從離散優化（模塊級，誰的模塊放哪層）變成連續優化（單元級，每個邏輯門單獨決定放哪層）。