三星HBM4市場全梳理：出貨量快速上升，4nm裸片價格上調40%至50%

時間線還要拉到兩個月前，2月12 日，三星正式宣佈 HBM4 高帶寬內存量產並交付商用產品，成爲全球首家實現 HBM4 大規模量產的廠商。僅一週後，三星在農曆新年假期後向英偉達交付了全球首批 HBM4 芯片，這批產品已完成英偉達認證，將用於其下一代 Vera Rubin AI 加速器。

三星 HBM4 採用了業界首創的技術組合，基礎裸片使用自家 4nm 工藝製造，DRAM 芯片則採用 1cnm（第六代 10nm 級別）工藝，量產初期就實現了穩定的良品率，無需客戶額外重新設計。性能方面，其標準數據傳輸速率達到 11.7Gbps，較 JEDEC 行業標準的 8Gbps 高出 46%，比前代 HBM3E 的最高 9.6Gbps 快 22%，還具備進一步超頻至 13Gbps 的能力。單堆棧總內存帶寬最高可達 3.3TB/s，是 HBM3E 的 2.7 倍。容量配置上，通過 12 層堆疊技術提供 24GB 至 36GB 的不同選擇，未來還將推出 16 層堆疊版本，將單堆棧容量擴展至 48GB。針對接口位寬翻倍至 2048 位帶來的功耗和散熱問題，三星集成了低功耗設計方案，採用低電壓硅通孔技術和電源分配網絡優化，使 HBM4 功耗效率較前代提升 40%，熱阻降低 10%，散熱能力提升 30%。

客戶拓展方面，英偉達是三星HBM4最大的客戶，其次是 AMD。3月，三星與 AMD 簽署諒解備忘錄，雙方將擴大在下一代 AI 存儲器和計算技術上的合作，三星將爲 AMD 下一代 Instinct MI455X AI 加速器供應 HBM4；三星還將在 2026 年下半年獨家向 OpenAI 供應 HBM4，用於其與博通合作開發、臺積電代工的第一代自研 AI 芯片 Titan，該芯片預計今年第三季度投產，年底正式發佈。三星今年 HBM4 的產能分配中，OpenAI 的佔比僅次於英偉達和 AMD，位列第三，且消息稱 OpenAI 後續兩代 Titan 芯片也有望繼續採用三星的 HBM 產品。

隨着HBM4 出貨量快速上升，三星的產能和定價策略也隨之調整。近期三星已將 4nm 基礎裸片的價格上調 40%至50%，其 4nm 生產線目前已接近滿負荷運轉。三星在 4 月向 ASML 訂購了約 70 臺光刻設備用於擴大產能，包括 20 臺 EUV 光刻機，訂單總金額約 450 億元人民幣。這批設備將全部用於提升 1c 工藝 DRAM 產能，新增產能將全部投向 HBM4，優先滿足英偉達 Rubin 等 AI 服務器處理器的需求，不涉及手機、電腦等消費級存儲產品。同時，三星已將第二季度整體存儲產品報價上調 30%，目前全球 HBM 訂單已排至 2027 年，美光、SK 海力士也在同步全力擴產。

產能提升也帶動了三星晶圓代工業務的改善。今年年初，三星晶圓廠的整體產能利用率爲 60%，預計很快將達到 80% 的收支平衡線。三星預計其晶圓代工業務將在今年第四季度實現盈利，明年進入更明顯的改善週期，目標是兩年內實現盈利並佔據 20% 的市場份額。此前，三星已在 2025 年第四季度通知客戶，將上調 4/5nm 工藝的代工價格。

在 HBM4 量產推進的同時，三星已着手佈局下一代 HBM4E 產品，計劃今年內投入生產。HBM4E 初期將沿用與 HBM4 相同的 4nm 基礎裸片，未來還計劃引入 2nm 工藝，進一步提升能效、散熱管理和麪積利用率。針對新一代 HBM 普遍面臨的供電傳輸瓶頸，三星對 HBM4E 進行了結構全面改造，採用供電網絡分割方案，拆分供電模塊、優化上層佈線。升級後，HBM4E 的供電凸點數量從 13682 個增加至 14457 個，金屬電路缺陷率較 HBM4 降低 97%，電壓壓降情況改善 41%，在提升運行速度的同時增強了芯片整體可靠性。

當前全球存儲產能正出現明顯的結構性傾斜，各大廠商優先保障利潤率更高的 HBM 產品供應，導致消費級存儲產能被擠壓，短期內價格並不會有太大降幅，但是市場總體本身有漲跌，價格跌下來是遲早的事情，不過估計不會跌到之前的史低價格。在HBM4 市場競爭中，三星憑藉率先量產和性能優勢搶佔了先機，其主要競爭對手 SK 海力士的 HBM4 採用第五代 b DRAM 工藝和臺積電 12nm 基礎裸片，雖生產穩定性更受行業認可，但量產進度落後於三星，雙方圍繞英偉達等核心客戶的供應競爭將持續加劇。