三星HBM4市场全梳理：出货量快速上升，4nm裸片价格上调40%至50%

时间线还要拉到两个月前，2月12 日，三星正式宣布 HBM4 高带宽内存量产并交付商用产品，成为全球首家实现 HBM4 大规模量产的厂商。仅一周后，三星在农历新年假期后向英伟达交付了全球首批 HBM4 芯片，这批产品已完成英伟达认证，将用于其下一代 Vera Rubin AI 加速器。

三星 HBM4 采用了业界首创的技术组合，基础裸片使用自家 4nm 工艺制造，DRAM 芯片则采用 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺，量产初期就实现了稳定的良品率，无需客户额外重新设计。性能方面，其标准数据传输速率达到 11.7Gbps，较 JEDEC 行业标准的 8Gbps 高出 46%，比前代 HBM3E 的最高 9.6Gbps 快 22%，还具备进一步超频至 13Gbps 的能力。单堆栈总内存带宽最高可达 3.3TB/s，是 HBM3E 的 2.7 倍。容量配置上，通过 12 层堆叠技术提供 24GB 至 36GB 的不同选择，未来还将推出 16 层堆叠版本，将单堆栈容量扩展至 48GB。针对接口位宽翻倍至 2048 位带来的功耗和散热问题，三星集成了低功耗设计方案，采用低电压硅通孔技术和电源分配网络优化，使 HBM4 功耗效率较前代提升 40%，热阻降低 10%，散热能力提升 30%。

客户拓展方面，英伟达是三星HBM4最大的客户，其次是 AMD。3月，三星与 AMD 签署谅解备忘录，双方将扩大在下一代 AI 存储器和计算技术上的合作，三星将为 AMD 下一代 Instinct MI455X AI 加速器供应 HBM4；三星还将在 2026 年下半年独家向 OpenAI 供应 HBM4，用于其与博通合作开发、台积电代工的第一代自研 AI 芯片 Titan，该芯片预计今年第三季度投产，年底正式发布。三星今年 HBM4 的产能分配中，OpenAI 的占比仅次于英伟达和 AMD，位列第三，且消息称 OpenAI 后续两代 Titan 芯片也有望继续采用三星的 HBM 产品。

随着HBM4 出货量快速上升，三星的产能和定价策略也随之调整。近期三星已将 4nm 基础裸片的价格上调 40%至50%，其 4nm 生产线目前已接近满负荷运转。三星在 4 月向 ASML 订购了约 70 台光刻设备用于扩大产能，包括 20 台 EUV 光刻机，订单总金额约 450 亿元人民币。这批设备将全部用于提升 1c 工艺 DRAM 产能，新增产能将全部投向 HBM4，优先满足英伟达 Rubin 等 AI 服务器处理器的需求，不涉及手机、电脑等消费级存储产品。同时，三星已将第二季度整体存储产品报价上调 30%，目前全球 HBM 订单已排至 2027 年，美光、SK 海力士也在同步全力扩产。

产能提升也带动了三星晶圆代工业务的改善。今年年初，三星晶圆厂的整体产能利用率为 60%，预计很快将达到 80% 的收支平衡线。三星预计其晶圆代工业务将在今年第四季度实现盈利，明年进入更明显的改善周期，目标是两年内实现盈利并占据 20% 的市场份额。此前，三星已在 2025 年第四季度通知客户，将上调 4/5nm 工艺的代工价格。

在 HBM4 量产推进的同时，三星已着手布局下一代 HBM4E 产品，计划今年内投入生产。HBM4E 初期将沿用与 HBM4 相同的 4nm 基础裸片，未来还计划引入 2nm 工艺，进一步提升能效、散热管理和面积利用率。针对新一代 HBM 普遍面临的供电传输瓶颈，三星对 HBM4E 进行了结构全面改造，采用供电网络分割方案，拆分供电模块、优化上层布线。升级后，HBM4E 的供电凸点数量从 13682 个增加至 14457 个，金属电路缺陷率较 HBM4 降低 97%，电压压降情况改善 41%，在提升运行速度的同时增强了芯片整体可靠性。

当前全球存储产能正出现明显的结构性倾斜，各大厂商优先保障利润率更高的 HBM 产品供应，导致消费级存储产能被挤压，短期内价格并不会有太大降幅，但是市场总体本身有涨跌，价格跌下来是迟早的事情，不过估计不会跌到之前的史低价格。在HBM4 市场竞争中，三星凭借率先量产和性能优势抢占了先机，其主要竞争对手 SK 海力士的 HBM4 采用第五代 b DRAM 工艺和台积电 12nm 基础裸片，虽生产稳定性更受行业认可，但量产进度落后于三星，双方围绕英伟达等核心客户的供应竞争将持续加剧。