三星與 SK 海力士加速擴產，迎戰 AI 內存超級週期

韓國兩大存儲巨頭正全速擴張產能，以搶佔 AI 存儲市場制高點，或許會緩解因爲產能短缺導致的內存漲價。

三星電子：雙線佈局，高端突破

DRAM 產能提升：

• 提高韓國國內 DRAM 產線利用率，特別是平澤和華城園區

• 將 HBM3E 生產的 1a 納米制程產能下調 30%-40%，轉向 1b 納米通用 DRAM，月增約 8 萬片晶圓產能

• 1c DRAM (第六代 10 納米) 產能規劃：2025 年底達 6 萬片 / 月，2026 年 Q2 增至 14 萬片 / 月，Q4 達 20 萬片 / 月，佔總產能近 30%

高端產能佈局：

• 11 月恢復平澤五廠 (P5) 建設，預計 2028 年量產，專注先進存儲芯片，特別是 HBM4 和 DDR5

• HBM4 計劃 2026 年量產，採用 4nm 邏輯 + 10nm DRAM 工藝，目標良率 80%

• 已量產 128GB DDR5 和 24Gb GDDR7 高端產品，HBM3E 單季比特銷量環比增 80%

SK 海力士：HBM 王者，全面擴張

旗艦工廠加速：

• 清州 M15X 工廠即將投產，總投資超 20 萬億韓元，初期月產 3.5 萬片，可擴至 5.5 萬片，專注 HBM 和 1b DRAM

• M15X 投產後，SK 海力士 DRAM 總產能將從 10 萬片 / 月增至 17.8 萬片 / 月，2026 年底達 24 萬片 / 月

超級工程提速：

• 龍仁半導體園區首座晶圓廠提前建設 (原計劃 2027 年)，規模相當於 6 座 M15X，總集羣建成後產能相當於 24 座 M15X

總投資超 145 萬億韓元，其中龍仁園區投資 120 萬億，美國印第安納工廠 5 萬億

戰略轉型：

• 正式宣佈向 "全棧 AI 存儲創造者" 轉型，構建 AI 存儲完整生態

• 2025 年資本支出從 22 萬億韓元增至 29 萬億，重點投向 HBM 產線

• HBM 市場份額 62%，已壟斷英偉達等大客戶 2026 年全年 HBM 需求

• HBM4 量產時間從 2026 年 2 月調整至 3-4 月，確保良率和穩定性

AI 內存需求：爆發式增長

市場規模激增：

• Omdia 預測：全球 DRAM 市場從 2024 年 1000 億美元增至 2026 年 1700 億美元，增幅 70%

• Nomura 預測：2026 年 DRAM 和 NAND 需求各增 30%，HBM 需求暴增 63%

• 2025 年 DRAM 比特出貨量增 20%，2026 年再增 20%，遠超此前預期

供需失衡加劇：

• 美光 CEO 直言："DRAM 供應短缺將持續至 2026 年底後"，產能僅能滿足主要客戶 50%-67% 需求

• SK 海力士和三星 2026 年 HBM 訂單已全部售罄，計劃 2026 年 HBM3E 價格上調約 20%

• 預計 2026 年 HBM 市場 55% 爲 HBM4，45% 爲 HBM3E，HBM4 下半年將快速替代 HBM3E 需求

戰略差異：兩條路徑，同一目標

行業影響：格局重塑

1. 價格持續上漲：AI 服務器帶動 DDR5 價格單月漲幅達 100%，HBM 供不應求持續推高溢價

2. 市場份額變化：

   • SK 海力士憑藉 HBM 優勢，2025 年 Q1 首次超越三星成爲 DRAM 營收第一 (33.2% vs 32.6%)

   • 三星依靠更廣泛產能基礎，預計 2025 年 Q4 重奪第一

3. 供應鏈安全隱憂：全球約 75% DRAM 產能集中在韓國，地緣政治風險加劇供應脆弱性

總結：超級週期已至

三星與 SK 海力士正以前所未有的力度擴充產能，共同迎接 AI 驅動的 "存儲超級週期"。儘管新廠最快要到 2027 年才能大規模投產，但兩家巨頭通過產能調配、技術升級和提前鎖定客戶，已在這場 AI 內存軍備競賽中佔據有利位置。

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