三星与 SK 海力士加速扩产，迎战 AI 内存超级周期

韩国两大存储巨头正全速扩张产能，以抢占 AI 存储市场制高点，或许会缓解因为产能短缺导致的内存涨价。

三星电子：双线布局，高端突破

DRAM 产能提升：

• 提高韩国国内 DRAM 产线利用率，特别是平泽和华城园区

• 将 HBM3E 生产的 1a 纳米制程产能下调 30%-40%，转向 1b 纳米通用 DRAM，月增约 8 万片晶圆产能

• 1c DRAM (第六代 10 纳米) 产能规划：2025 年底达 6 万片 / 月，2026 年 Q2 增至 14 万片 / 月，Q4 达 20 万片 / 月，占总产能近 30%

高端产能布局：

• 11 月恢复平泽五厂 (P5) 建设，预计 2028 年量产，专注先进存储芯片，特别是 HBM4 和 DDR5

• HBM4 计划 2026 年量产，采用 4nm 逻辑 + 10nm DRAM 工艺，目标良率 80%

• 已量产 128GB DDR5 和 24Gb GDDR7 高端产品，HBM3E 单季比特销量环比增 80%

SK 海力士：HBM 王者，全面扩张

旗舰工厂加速：

• 清州 M15X 工厂即将投产，总投资超 20 万亿韩元，初期月产 3.5 万片，可扩至 5.5 万片，专注 HBM 和 1b DRAM

• M15X 投产后，SK 海力士 DRAM 总产能将从 10 万片 / 月增至 17.8 万片 / 月，2026 年底达 24 万片 / 月

超级工程提速：

• 龙仁半导体园区首座晶圆厂提前建设 (原计划 2027 年)，规模相当于 6 座 M15X，总集群建成后产能相当于 24 座 M15X

总投资超 145 万亿韩元，其中龙仁园区投资 120 万亿，美国印第安纳工厂 5 万亿

战略转型：

• 正式宣布向 "全栈 AI 存储创造者" 转型，构建 AI 存储完整生态

• 2025 年资本支出从 22 万亿韩元增至 29 万亿，重点投向 HBM 产线

• HBM 市场份额 62%，已垄断英伟达等大客户 2026 年全年 HBM 需求

• HBM4 量产时间从 2026 年 2 月调整至 3-4 月，确保良率和稳定性

AI 内存需求：爆发式增长

市场规模激增：

• Omdia 预测：全球 DRAM 市场从 2024 年 1000 亿美元增至 2026 年 1700 亿美元，增幅 70%

• Nomura 预测：2026 年 DRAM 和 NAND 需求各增 30%，HBM 需求暴增 63%

• 2025 年 DRAM 比特出货量增 20%，2026 年再增 20%，远超此前预期

供需失衡加剧：

• 美光 CEO 直言："DRAM 供应短缺将持续至 2026 年底后"，产能仅能满足主要客户 50%-67% 需求

• SK 海力士和三星 2026 年 HBM 订单已全部售罄，计划 2026 年 HBM3E 价格上调约 20%

• 预计 2026 年 HBM 市场 55% 为 HBM4，45% 为 HBM3E，HBM4 下半年将快速替代 HBM3E 需求

战略差异：两条路径，同一目标

行业影响：格局重塑

1. 价格持续上涨：AI 服务器带动 DDR5 价格单月涨幅达 100%，HBM 供不应求持续推高溢价

2. 市场份额变化：

   • SK 海力士凭借 HBM 优势，2025 年 Q1 首次超越三星成为 DRAM 营收第一 (33.2% vs 32.6%)

   • 三星依靠更广泛产能基础，预计 2025 年 Q4 重夺第一

3. 供应链安全隐忧：全球约 75% DRAM 产能集中在韩国，地缘政治风险加剧供应脆弱性

总结：超级周期已至

三星与 SK 海力士正以前所未有的力度扩充产能，共同迎接 AI 驱动的 "存储超级周期"。尽管新厂最快要到 2027 年才能大规模投产，但两家巨头通过产能调配、技术升级和提前锁定客户，已在这场 AI 内存军备竞赛中占据有利位置。

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