時隔22年，英偉達再次考慮首發採用臺積電最先進工藝製程

來源——AMP實驗室

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臺媒《工商時報》援引供應鏈的消息表示，英偉達考慮率先導入臺積電首個採用背面供電 (BSPDN) 技術的先進製程節點 A16。

報道指出，英偉達上次使用臺積電最先進製程技術製造芯片還是 110nm 時期，即 2004 年的 NV43 芯片。而英偉達之所以打破了這持續 20 餘年的“常規”，是因爲其看上了 A16 的潛力。

臺積電在 A16 中導入了名爲超級電軌 (Super Power Rail, SPR) 的解決方案，不僅釋放了晶圓正面空間同時大幅度改進了壓降問題，還能保持與傳統正面供電下相同的柵極密度、佈局版框尺寸和組件寬度調節的彈性。

相較臺積電第二代 2nm 製程工藝 N2P，A16 在相同工作電壓下速度提升 8~10%、相同速度下功耗降低 15~20%、芯片密度提升 10%，顯示了全面的 PPA 改進，適用於 HPC 高性能計算芯片。

近年以來臺積電先進製程的首發芯片多是移動處理器或是礦機芯片，而在 N2 節點上 AMD 以 "Zen 6" EPYC "Venice" 打破了這一局面，顯示 AI / HPC 已步入全球半導體市場舞臺的中央。英偉達有望臺積電 A16 製程打造 "Rubin" 後的下一代 "Feynman" AI GPU。