日本半導體逆襲！Rapidus宣佈2nm芯片試產成功

近日日本半導體企業Rapidus正式宣佈啓動2nm製程晶圓的測試生產，標誌着日本在先進芯片製造領域實現重大突破，目標於2027年實現量產，挑戰臺積電、三星的全球主導地位。

Rapidus採用全環繞柵極（Gate-All-Around）技術，通過柵極材料包裹晶體管通道，提升電場控制能力。相比7nm芯片，性能提升45%、能耗降低75%，晶體管密度達每平方毫米3.33億個，與三星持平。引入IBM授權的多閾值電壓技術及選擇性減少層（SLR）工藝，優化複雜計算下的低電壓運行；採用單片晶圓處理策略，實時調整參數提升良率。北海道千歲市IIM-1工廠已安裝超200臺設備，包括ASML EUV光刻機（型號TWINSCAN NXE:3800E），成爲日本首傢俱備量產級EUV能力的企業。項目獲日本政府1.7萬億日元補貼，總投資預計5萬億日元（約340億美元）。豐田、索尼等8家企業聯合注資，並吸引本田、富士通等追加投資。避開臺積電主導的大規模標準品市場，聚焦自動駕駛、AI數據中心等專用芯片領域，通過設計製造協同優化（DMCO）縮短交付週期至臺積電的1/3。已與博通、Preferred Networks（AI芯片）達成合作，並與英偉達、谷歌等40餘家企業洽談。同步聯合西門子開發專用設計套件，加速流片流程。

當前試產良率不足50%，需在2025年底前提升至70%以上以滿足客戶需求。量產階段仍需3萬億日元資金，且日本半導體工程師短缺超3.5萬人。臺積電、三星計劃2025年量產2nm，Rapidus量產時間滯後2年，需在2029年前突破1.4nm技術以維持競爭力。此次突破是日本自1980年代失去半導體霸主地位後，首次重返尖端製程競賽。若量產成功，將重塑全球供應鏈格局，推動美日技術同盟對抗臺積電主導的亞洲供應鏈，併爲汽車電子、AI等產業提供新選擇。