長江存儲這次直接卡三星、SK海力士存儲芯片的脖子

在全球NAND市場，三星和SK海力士穩居前兩名，合計佔據接近50%的市場份額。雖然長江存儲作爲後起之秀在份額上遠不及這兩家公司，但其技術突破已逐漸影響到市場格局。

爲何長江存儲能夠對兩大巨頭形成威脅？答案在於混合鍵合技術。過去，NAND閃存依賴微縮工藝推進技術，但當工藝縮小至18nm或15nm時，進一步微縮變得困難且不穩定。爲了提高存儲密度和速度，長江存儲通過堆疊技術將芯片層數提升至128層、232層甚至400層，同時採用更先進的工藝提升接口電路性能。

混合鍵合技術正是將存儲部分與接口電路分離後的關鍵，解決了二者的連接問題，使得NAND閃存的讀寫速度和穩定性大幅提升。從2017年至2024年1月，長江存儲披露了119項相關專利，超過三星的83項和SK海力士的11項，顯示其在該領域的領先地位。

雖然三星和SK海力士仍佔據市場主導地位，但他們不得不開始向長江存儲購買技術。三星已從長江存儲獲取了相關專利，用以發展下一代NAND閃存芯片，標誌着這項技術的不可避免性。

因此，長江存儲不僅在專利數量上領先，而且其創新技術已引起全球關注，預計將在未來幾年對NAND市場格局產生深遠影響。