中國內存緊追不捨！長鑫成功研發並量產LPDDR5X：衝刺LPDDR6

來源——硬件世界

中國的內存技術正在快速崛起，與韓國的差距逐漸縮小。

據媒體報道，長鑫存儲在低功耗內存半導體（LPDDR）領域取得了顯著進展，已經成功開發並量產了LPDDR5X，並且今年就正在向LPDDR6發起衝刺。

LPDDR是智能手機、IT設備、機器人、自動駕駛汽車等領域的關鍵零部件，隨着AI相關應用的快速發展，其市場需求不斷增長。

有分析認爲，考慮到當前技術開發速度，長鑫最早可能在2026年實現LPDDR6量產，這能與三星的LPDDR6量產時間相差不到一年。

因此三星也將已進入高速開發模式，集中精力在基於“1c DRAM”工藝的下一代LPDDR6，以此確保能保持領先優勢，並計劃向高通等大客戶供貨。

有報道稱高通將成爲首個在其產品中集成三星LPDDR6內存的客戶，其即將推出的驍龍8 Elite Gen2據傳將支持這項技術，預計該SoC將在9月的驍龍峯會上發佈。

近日還有消息傳出，長鑫存儲擬停產DDR4轉而全力投入DDR5及HBM。

據最新報道，國產存儲器大廠長鑫存儲計劃針對服務器及PC應用的DDR4發佈產品結束（EOL）通知，預計最晚在2026年上半年正式停止供貨，轉而全力投入DDR5及高帶寬內存（HBM）領域。

下游企業反映，目前市場上長鑫DDR4產品已近乎斷供。

未來長鑫存儲將不再開發標準DDR4產品，僅保留部分產線爲兆易創新代工生產，以保障消費市場的DDR4產品供應。

長鑫存儲據傳還在開發一種高端的HBM解決方案，這很可能指的是HBM3。

據說這一突然轉變是政策驅動的，因爲政府方面敦促主要芯片製造商加快與國家目標接軌，特別是在人工智能和雲端基礎設施方面。

在去年底，長鑫存儲就開始低調量產並出貨DDR5顆粒，同時正在開發下一代15nm製程工藝，目標是在今年內完成開發，並在明年下半年實現量產商業化。

據悉，長鑫存儲的DDR4和LPDDR4X DRAM顆粒主要採用17-18nm米工藝生產。

預計2025年，長鑫存儲產能將增長到與美光科技相當的水平。