中国内存紧追不舍！长鑫成功研发并量产LPDDR5X：冲刺LPDDR6

来源——硬件世界

中国的内存技术正在快速崛起，与韩国的差距逐渐缩小。

据媒体报道，长鑫存储在低功耗内存半导体（LPDDR）领域取得了显著进展，已经成功开发并量产了LPDDR5X，并且今年就正在向LPDDR6发起冲刺。

LPDDR是智能手机、IT设备、机器人、自动驾驶汽车等领域的关键零部件，随着AI相关应用的快速发展，其市场需求不断增长。

有分析认为，考虑到当前技术开发速度，长鑫最早可能在2026年实现LPDDR6量产，这能与三星的LPDDR6量产时间相差不到一年。

因此三星也将已进入高速开发模式，集中精力在基于“1c DRAM”工艺的下一代LPDDR6，以此确保能保持领先优势，并计划向高通等大客户供货。

有报道称高通将成为首个在其产品中集成三星LPDDR6内存的客户，其即将推出的骁龙8 Elite Gen2据传将支持这项技术，预计该SoC将在9月的骁龙峰会上发布。

近日还有消息传出，长鑫存储拟停产DDR4转而全力投入DDR5及HBM。

据最新报道，国产存储器大厂长鑫存储计划针对服务器及PC应用的DDR4发布产品结束（EOL）通知，预计最晚在2026年上半年正式停止供货，转而全力投入DDR5及高带宽内存（HBM）领域。

下游企业反映，目前市场上长鑫DDR4产品已近乎断供。

未来长鑫存储将不再开发标准DDR4产品，仅保留部分产线为兆易创新代工生产，以保障消费市场的DDR4产品供应。

长鑫存储据传还在开发一种高端的HBM解决方案，这很可能指的是HBM3。

据说这一突然转变是政策驱动的，因为政府方面敦促主要芯片制造商加快与国家目标接轨，特别是在人工智能和云端基础设施方面。

在去年底，长鑫存储就开始低调量产并出货DDR5颗粒，同时正在开发下一代15nm制程工艺，目标是在今年内完成开发，并在明年下半年实现量产商业化。

据悉，长鑫存储的DDR4和LPDDR4X DRAM颗粒主要采用17-18nm米工艺生产。

预计2025年，长鑫存储产能将增长到与美光科技相当的水平。