“終極功率半導體”獲突破性進展！金剛石有望成爲終極半導體材料

本文來源於：快科技

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近日，日本佐賀大學教授嘉數教授與精密零部件製造商日本Orbray合作開發出了用金剛石製成的功率半導體，並以1平方釐米875兆瓦（87.5萬千瓦）的功率運行。

該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值爲全球最高，在所有半導體中也僅次於氮化鎵產品的約2090兆瓦。

與作爲新一代功率半導體的碳化硅(SiC)產品和氮化鎵(GaN)產品相比，金剛石半導體耐高電壓等性能更出色，電力損耗被認爲可減少到硅制產品的五萬分之一，同時耐熱性和抗輻射性也很強，因而被稱爲終極功率半導體”。

金剛石帶隙寬度高達5.5eV，遠超氮化鎵、碳化硅等材料，載流子遷移率也是硅材料的3倍，在室溫下本徵載流子濃度極低，且具備優異的耐高溫屬性。

當前，金剛石在半導體領域的應用越來越廣泛，全球各國都在加緊金剛石在半導體領域的研製工作，其中日本已成功研發超高純2英寸金剛石晶圓量產方法，其存儲能力相當於10億張藍光光盤（約爲2500萬TB）。

全球天然金剛石年產量約爲1.5億克拉，而人造金剛石產量則超過200億克拉，其中95%產量來自於中國大陸。