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美國銀行一份重磅研究報告戳破了市場的期待 —— 消費市場此前認爲新增存儲芯片產能很快就會投放市場。報告預測，截至 2028 年，SK 海力士能夠正式投產的新增產能規模，大約僅爲公司最初規劃增量的六分之一。
韓國總統李在明此前提出目標，力爭 2030 年前將本國存儲芯片產能擴大一倍。他多次把三星、SK 海力士正在韓國西南部光州與全羅南道建設的大型新晶圓廠，當作支撐這一樂觀目標的核心依據。
然而韓國一家媒體近日援引美國銀行最新分析指出，市場廣爲流傳的產能擴張目標並不具備現實可行性，想要在既定時間表內落地更是難上加難。
考慮到技術迭代、製程微縮帶來老舊工廠關停，會抵消一部分產能增量，韓國存儲晶圓有效產能年均增幅不足 10%。照此推算，2030 年總產能增幅將遠遠達不到總統定下的產能翻倍目標。
光州、全羅道存儲晶圓廠僅地基建設就要耗時約 5 年；潔淨室搭建、配套芯片生產設備進場調試還需要 3 至 4 年。想要在這些廠區搭建完整芯片製造產業生態，整體週期或將超過十年！
產能擴建延期，進一步施壓三星、SK 海力士、美光價格操縱集體訴訟
此前我曾報道：6 月 25 日，三星、SK 海力士、美光三家企業在加州聯邦法院遭到聯合起訴，被控相互串通、操縱 DRAM 芯片價格。本次集體訴訟代表大量消費者與企業買家，主體是近期 DRAM 漲價期間採購搭載通用 DRAM 產品的客戶羣體。
訴狀主張：三星、SK 海力士、美光憑藉自身在全球 DRAM 市場的壟斷地位，協同轉向人工智能核心的高帶寬內存（HBM）賽道；並且以這次戰略轉型爲藉口，主動縮減 DDR3、DDR4 等傳統通用存儲芯片的產能。
如今如果證實 SK 海力士到 2028 年新增產能僅爲原定計劃的六分之一，如此緩慢的擴產節奏，幾乎不可能在庭審中幫助存儲 “三巨頭” 辯駁。
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