根據塔塔集團泄露文件顯示,iPhone 18 Pro 系列可能放棄沿用多年的雙層主板夾心 SoC 方案,改爲將 A20 Pro 芯片外置到主板表層,以便直接接觸散熱石墨、VC 均熱板等散熱介質。
泄露的主板圖還顯示,NAND 閃存被調整到兩層主板中間夾層。後續若用戶自行進行硬盤擴容,需要先高溫分層主板,再更換芯片並重新植錫貼合,操作難度和報廢風險都會提高。
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根據塔塔集團泄露文件顯示,iPhone 18 Pro 系列可能放棄沿用多年的雙層主板夾心 SoC 方案,改爲將 A20 Pro 芯片外置到主板表層,以便直接接觸散熱石墨、VC 均熱板等散熱介質。
泄露的主板圖還顯示,NAND 閃存被調整到兩層主板中間夾層。後續若用戶自行進行硬盤擴容,需要先高溫分層主板,再更換芯片並重新植錫貼合,操作難度和報廢風險都會提高。
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