三星 HBM4 量產落地：計劃向英偉達與AMD供貨

三星電子的第六代高帶寬內存（HBM4）已順利通過最終資格測試，TrendForce、路透社及《韓國經濟日報》的多方報道，三星計劃下個月向英偉達與 AMD正式啓動量產供貨。三星或許能借此在下一代 DRAM 競爭中站起來。

在 2025 年 12 月的韓國科技節上，三星首次公開展示了 HBM4 產品，此次資格測試的通過，已完全滿足客戶端的性能與可靠性要求，將從技術展示走向量產應用。作爲專爲 AI 和 HPC 場景的內存解決方案，HBM4 的量產遇上算力需求爆發期，兩者相輔相成，隨着大模型訓練、智能駕駛、量子計算等領域對內存帶寬和數據傳輸速率的要求飆升，三星的及時供貨將有效緩解行業供需緊張。

根據公開數據，三星 HBM4 數據傳輸速率達到 11.7Gb/s，大幅超越 JEDEC 制定的 8Gb/s 標準，也超出了英偉達與 AMD 設定的 10Gb/s 定製標準，成爲目前業界規格最高的 HBM 產品。進一步提升了產品的市場競爭力。該產品採用 1cnm 工藝（第六代 10nm 級別）製造 DRAM 芯片，較行業主流工藝領先一代；同時，其基礎裸片（Base Die）採用三星自家代工廠的 4nm 工藝生產，讓三星在生產上具備強靈活性。觀競爭對手 SK 海力士，其 HBM 產品的 Base Die 依賴臺積電代工，存在生產準備週期長、成本控制難度大等問題，三星的全產業鏈佈局恰好彌補了這一短板。

按照計劃，下個月將啓動首批供貨，隨着英偉達 Vera Rubin 平臺全面投產帶來的增量需求，三星預計於 2026 年 6 月實現 HBM4 的全面供應。目前官方尚未披露具體供貨量，但從量產訂單來看，此次供貨並不是小規模測試樣品，而是將直接支撐英偉達、AMD 下一代 AI 芯片的量產計劃。三星的入局將有效分散供應鏈風險，同時推動行業競爭從 “產能爭奪” 向 “技術迭代” 升級。三星憑藉 HBM4 的技術領先性和垂直整合優勢，有望快速搶佔市場份額。更重要的是，三星計劃依託從邏輯芯片設計到封裝的全整合 HBM 能力，進一步向 HBM4E 及定製化解決方案延伸，試圖在未來的高端市場中確立領導地位，加劇行業技術競爭，說不定能推動整個 HBM 行業的迭代速度，爲 AI 算力的持續突破提供硬件支撐；也有望可以把存儲居高不下的價格打下來。

從行業發展視角來看，HBM4 的量產是 AI 產業鏈協同升級的必然結果。AI 大模型的參數規模已突破萬億級，對內存帶寬的需求飛速增長，傳統 DDR 內存已難以滿足算力釋放需求，HBM的高帶寬高容量的核心優勢凸顯。HBM4能有效提升 AI 芯片的算力利用率，加速大模型訓練、自動駕駛算法迭代等關鍵場景。1cnm 工藝的成熟應用將推動 HBM 產品在密度、能效比上的進一步突破，助力 AI 硬件向 “更高性能、更低功耗” 方向發展。

不過三星在 HBM 市場的突圍面臨挑戰。SK 海力士等競爭對手不會坐視市場份額被侵蝕，會加速 HBM4 相關產品的研發與量產，HBM 的供應能力不僅取決於芯片製造，還受封裝技術、產能爬坡速度等多重因素影響，三星能否如期實現 6 月全面供應的目標，有待觀察；不過還是希望各家大廠能夠捲起來，改變目前居高不下的存儲價格困境，目前DRAM漲價已經帶動一系列下游產業鏈成本拉高一起增加，導致裝機換機慾望低迷，間接導致市場萎縮。