超越日本！我国首台纳米压印光刻机交付，线宽小于 10nm

近日，国内半导体领域迎来重大突破！璞璘科技自主设计研发的首台 PL-SR 系列喷墨步进式纳米压印设备，顺利通过验收并交付国内特色工艺客户。这一成果标志着我国在高端半导体装备制造领域，向前迈出了坚实一步。

在纳米压印技术领域，日本此前一直处于世界领先地位。佳能的 FPA-1200NZ2C 纳米压印光刻机，可实现 14nm 线宽，号称能够生产 5nm 工艺芯片。如今，璞璘科技的 PL-SR 系列设备成功攻克多项关键技术难题，包括步进硬板的非真空完全贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等，实现了线宽小于 10nm 的纳米压印光刻工艺，在关键指标上超越了佳能。

PL-SR 系列设备还配备了自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统，以及喷墨打印材料匹配，并搭配自主开发的软件控制系统。目前，该设备已初步完成储存芯片、硅基微显、硅光、先进封装等芯片的研发验证。

虽然指标领先，但这并不意味着就能制造 5nm 乃至更先进的芯片。纳米压印技术虽能降低能耗和成本，但其制造芯片的速度比光刻技术慢得多，且只适合相对简单的芯片。

从技术细节来看，PL-SR 系列成功突破喷墨涂胶工艺的多项技术瓶颈，实现了纳米级的压印膜厚，平均残余层小于 10nm，残余层变化小于 2nm，压印结构深宽比大于 7:1。通过开发可溶剂清洗的光固化纳米压印胶，解决了模板污染的潜在风险。该设备还突破了纳米压印模板面型控制的技术难点，实现了无残余层压印工艺，且具备高效、高精度的压印和拼接复杂结构的性能。