三星衝刺1nm工藝！量產計劃提前至2026年

據媒體報道，三星電子代工業務部門計劃在即將到來的6月12日至13日在美國硅谷舉辦的代工與SAFE論壇上，公佈其技術路線圖和強化代工生態系統的計劃。

其中最大的變化是，三星預計將把原定於2027年實現的1nm工藝量產計劃提前至2026年。

此前，三星電子已於2022年6月在全球首次成功量產3nm晶圓代工，並計劃在2024年開始量產其第二代3nm工藝，隨後於2025年啓動2nm工藝的量產。

業界推測，三星可能會將第二代3nm和2nm工藝進行整合，並有可能在2024年下半年就開始量產2nm芯片。

與此同時，三星的主要競爭對手臺積電也在積極推進其工藝發展計劃。

臺積電計劃在2027年達到A16節點（1.6nm），並預計在2027-2028年左右開始量產1.4nm工藝。

儘管有傳聞稱臺積電因技術問題將2nm工藝全面量產推遲至2026年，但臺積電已明確表示2nm工藝開發進展順利，預計2025年左右可實現量產。

三星電子的信心部分源自於其在2022年6月引入的“Gate-All-Around（GAA）”電流控制技術，該技術能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片功率效率。

與此同時，臺積電的信心則源自與大客戶蘋果的密切合作，蘋果對臺積電的營收貢獻高達25%-30%。

來源：快科技

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