無需 EUV 光刻機和先進製程,我國推進硅光子新賽道

美國智庫戰略與國際研究中心(CSIS)於 1 月 12 日發佈文章,表示硅光子技術成爲中美科技戰的新戰場,可能重塑半導體和 AI 領域的競爭格局。


圖源:WikiMedia


該文章作者馬修・雷諾茲(Matthew Reynolds)表示,和現有電子芯片不同的是,光子芯片利用光子而非電子傳遞信息,結合光子學和電子技術,有可能創造出具有更高帶寬和能效的大規模計算系統,超越傳統電子芯片的物理限制。

我國第十四個五年規劃和 2035 年遠景目標綱要中,都明確提到了光子技術,將其視爲繞過西方技術控制的途徑之一。

中國智庫中國國際經濟交流中心(CCIEE)經濟學家陳文玲表示,硅光子是中國能彎道超車的技術:“光子芯片具有諸多技術優勢,它運算速度更快,信息容量更大,將比目前的硅基芯片提升 1000 倍以上”。

中國中科鑫通微電子(SinTone)正籌建光子芯片生產線,意味中國在光子芯片將走在世界前列,甚至徹底改變芯片技術路線。

中科鑫通微電子總裁隋軍指出,中國有能力在國內生產光子芯片,因爲製造過程不需用到極紫外光(EUV)光刻機。

雷諾茲認爲當前光子芯片還存在諸多挑戰,短期內不可能替代電子芯片,但的確有望成中國前進半導體制造前沿的突破口。

根據 siliconsemiconductor 報道,全球硅光子市場預計將以 22.4% 的複合年增長率增長,在 2023 年預估產值規模爲 14 億美元(當前約 100.38 億元人民幣),而到 2030 年底預估達到 61 億美元(IT之家備註:當前約 437.37 億元人民幣)。


來源:IT之家

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