英偉達RTX 50系列顯卡爆料將採用臺積電3nm工藝

近日，據可靠爆料人透露，英偉達正在緊鑼密鼓地準備推出其新一代顯卡——RTX 50系列。該系列預計將採用先進的臺積電3納米工藝，並搭載一系列新技術和特性。

首先，關於工藝方面，RTX 50系列將採用臺積電3納米工藝，這與當前RTX 40系列所採用的“TSMC 4N”工藝相比，實現了更進一步的微型化。儘管RTX 40系列的工藝沒有具體說明是幾納米，但有報道稱是定製的5納米工藝。英偉達官方表示，在TSMC 4N定製工藝技術的支持下，RTX 40系列GPU實現了高達2倍的性能功耗比飛躍。而RTX 50系列的臺積電3納米工藝預計將帶來更出色的性能和功耗表現。

供電方面，RTX 50系列顯卡將採用改進版的12V-2x6 16pin接口，這一改進預計將提高供電效率並降低功耗。此外，據爆料人稱，RTX 50旗艦顯卡的公版型號將類似於之前曝光的RTX 4090 Ti，採用四槽厚、側裝PCB設計，這種設計有助於提高顯卡的穩定性和散熱性能。

在產品線方面，英偉達新一代用於消費顯卡的“Blackwell”旗艦GPU將是GB202。據悉，GB202將支持384bit GDDR7顯存，而次旗艦型號GB203預計將支持256bit GDDR7顯存。這些新一代的顯存技術將進一步推動顯卡性能的提升。

值得注意的是，美光和三星都已經發布了GDDR7顯存技術。這種技術可使單顆粒容量達到24Gb，速度可達32Gbps。搭配384bit位寬，帶寬可達驚人的1536GB/s。這將爲RTX 50系列顯卡提供巨大的數據傳輸能力，從而帶來前所未有的圖形處理性能。

據爆料人消息，英偉達RTX 50系列的發佈時間可能是2024年底或2025年。這一時間窗口將給英偉達足夠的時間來完善這一系列產品，並確保其性能和穩定性達到預期水平。