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這期內容準備了很久，因爲這是一期保姆級教程，對着圖片一步步抄都能成功，4張不同品牌主板，8種完全不同的內存顆粒，說白了只要你用AM5 處理器，這期多半就是對你有用的
並且不是簡單教你怎麼抄作業，還會用實測數據告訴你，EXPO，與手動超頻的差距，如果能幫到你記得三聯支持一下
測試平臺CPU選擇9700X,開啓頻率PBO+200 負壓-20，不用X3D的原因是X3D超內存提升極小，對比不出來效果，顯卡亮機卡5080，主板來自微星，技嘉，華碩，銘瑄，選的都是常規四槽主板，沒有OC特化
內存顆粒是這些：威剛 龍耀D500G 6000C28 16G×2 海力士A-die
威剛 龍耀D500G 6000 C28 24G×2 海力士3GM-die
威剛 龍耀D300G 6000 C30 16Gx2 海力士2GM-die。
英睿達 PRO 6000 C36 16Gx2 2G鎂光D-die
英睿達 PRO 6400 C32 16Gx2 新2G鎂光顆粒。
金泰克 硃砂痣 6000 C36 24Gx2 3G鎂光顆粒
金百達 黑刃 6000 C36 16Gx2 國產長鑫顆粒
紫光 雲彣 6000 C36 16Gx2 南亞顆粒
這裏提一嘴，很多網上鎂光8000+的作業都是英特爾平臺，我手上這幾套AMD平臺基本上過測不了，加上英睿達也不做消費級了，就直接略過吧
其餘配件如圖所示
僅開啓EXPO時，各內存搭配主板，如圖所示，基本上都是很鬆的參數，畢竟廠商要先保證能穩定使用
颱風檢測顆粒，6000 C28爲海力士A，6000 C36 爲長鑫 南亞A 鎂光D，其餘都檢測不出來
這一步是參數展示，都不極限，抄作業也能穩定長期用，不會搞得開不了機，也能滿足大多數體質差的配置，
如果你把tREFI拉到最高，溫度超過55℃，建議你加裝風扇，或者適當降低一些，比如46800，換取穩定性
廢話到這裏就結束了，接下來就是保姆級教程
先開機，瘋狂點按F2/Delete進入BIOS界面
華碩主板+6000 C28海力士 A-DIE
F5恢復默認設置→F7進入AdvancedMode高級模式→SystemLanguage選擇簡中→按方向鍵右鍵進入AiTweaker（鼠標點也可以）
按方向鍵下鍵（同上，後文類似）移至AiOverclockTuner欄選擇EXPO I→按方向鍵下鍵移至內存頻率（MemoryFrequency），選擇想超的內存頻率
這裏ADIE作業是6200，其他顆粒頻率自選
按方向鍵下選擇FCLK頻率，同步模式下FCLK：超頻頻率一般保持1:3的關係，異步分頻模式下則爲1：4→
往下的CTC(CoretuningsConfigurationfor gaming)選擇Level2模式
繼續往下 CPU SOC電壓選擇，手動模式（ManualMode）→VDD SOC VoltageOverride手動輸入1.3
這個電壓1.3基本是上限了，如果能穩，也可以繼續向下減，1.1至1.3這個區間都可以，看你的CPU體質
CPUVDDIO/MCVoltage手動輸入1.45，IO電壓的作用是增強內存控制器的信號驅動能力，幫助提升內存頻率和時序的穩定性
內存高電壓模式（HIghDRAM VoltageMode）調爲Enabled→DRAMVDD/VDDQ Voltage輸入1.45
回到上方的內存時序控制（DRAMTimingControl）
PowerDownEnable（內存節能）選擇Disabled→UCLKDIV1MODE選擇UCLK=MEMCLK開啓同步模式
UCLK是指統一內存控制器的工作頻率，直接關係到內存控制器與CPU之間數據傳輸的效率
內存超頻時，通常與內存頻率（MEMCLK）保持同步，確保性能發揮到最佳
接下來就是調整時序參數,Tcl輸入28，TrcdWr輸入36，TrcdRd輸入36，Trp輸入36，Tras輸入72，Trc輸入108，TRC一般大於等於TRP+TRAS，Twr輸入60，RefreshInterval輸入65535
Trfc1輸入450，Trfc2輸入400，Trfcsb輸入350，一般TRFC1大於TRFC2，大於TRFCSB，這三個數值基本可以視爲Adie這三個參數的起手數值
Trtp輸入24，Trrdl輸入16，Trrds輸入8，Tfaw輸入32，TwtrL輸入31，TwtrS輸入8，下方其餘選項均Auto，
下方表格中如果其餘顆粒在A-DIE AUTO的參數有數值，並且順序也是能夠對應上的，從上到下輸入，修改完畢按F10保存重啓
微星主板+6000 C28 海力士3G-MDIE
F6恢復默認→F7進入Advanced高級模式→選擇Overclocking
下移至EXPO，調整爲Enabled→內存頻率（DRAMSpeed）選擇6000→FCLK頻率選擇2000
這裏依然是1：3的關係，UCLK DIV1 MODE選擇 UCLK=MEMCLK→延遲殺手（LatencyKiller）選擇禁止
下移至電壓設置，內存高電壓模式（DRAM High Voltage Mode）選擇允許→內存電壓（DRAMVoltage）改
爲1.45V，VDDQ與VDDIO自動同步，內存VDDQ電壓是存儲芯片輸出緩衝器的供電電壓通常用於確保內存數據輸出能力
這裏值得一提的是，華碩技嘉主板VDDIO電壓給的比較準，可以選擇AUTO，除非是搭配比較能超的海力士顆粒可手動調高
但微星銘瑄主板則需注意，VDDIO電壓與VDD/VDDQ同步，如果VDD/VDDQ給高了超過1,45，建議手動把VDDIO降低至不超過1.45
上翻回到高級內存
調整時序參數，tCL輸入28，tRCDWR和tRCDRD輸入36，tRP輸入36，tRAS輸入72，tRC輸入108
tWR輸入60，tRFC1輸入600,tRFC2輸入450，tRFCSB輸入400，tREFI輸入65535
tRTP輸入16，tRRDL輸入12，tRRDS輸入8，tFAW輸入28，tWTRL輸入22，tWTRS輸入6
再到下方禁止PowerDownEnable，修改完畢F10保存重啓
技嘉主板+6000 C36 3G鎂光顆粒
F7恢復默認→點擊右上角換成中文→進入高級模式
下移至EXPO預設文件，更換爲EXPO 1→ CoreTuningConfig與華碩主板一樣選擇Level2→關閉延遲殺手（只是跑分好看，實際提升一般）
下方內存倍頻調整爲60，即6000MHZ，→InfinityFabricFrequencyandDividers 調整爲2000，→UCLK DIV1 MODE選擇UCLK=MEMCLK
DDR_VDDVoltage和DDR_VDDQVoltage均設置爲1.35
回到上方高級內存設置→PowerDownEnable（內存節能）Disabled→MemorySubtimings調整時序參數
CASLatency輸入36，tRCD輸入45，tRP輸入45，tRAS輸入96，tRCAUTO，tWR輸入72，tREF輸入65535，tRFC1輸入1180→F10保存重啓
銘瑄主板（新版圖像BIOS）+6000 C36 2G長鑫顆粒
F9恢復默認設置→右上角切換中文→左側欄下移進入超頻
EXPO開啓EXPOProfile1→內存頻率設置爲6000→FCLK頻率設置爲2000，UCLK DIV1 MODE選擇UCLK=MEMCLK
內存VDD/VDDQ電壓均設置爲1.38→關閉內存降延遲→內存VDDIO電壓同步爲1.38V→回到上方內存時序
內存時序調節選擇專業模式→調整時序參數→Tcl輸入36，TrcdWr輸入38，TrcdRd輸入38，Trp輸入38
Tras輸入88，Trc輸入126，Twr輸入72，Trfc1輸入800，Trfc2輸入500，TrfcSb輸入400，Trefi輸入65534
內存省電模式關閉→F10保存重啓
完整作業，對着抄即可
所有參數全解釋一遍你們可能沒興趣看，挑兩個相對重要的：TRFC和TREFI，這兩個參數對內存性能和穩定性有着至關重要的影響，甚至可能大於主時序
內存刷新就像手機充電，tRFC是充一次要多長時間，肯定是時間越短越好
而tREFI可以理解爲間隔多久充一次電，肯定是間隔越長越好，所以這個值越大越好，目前的上限基本都是65535
超內存核心就是快充、少充、但不斷電
成績展示
AIDA64內存讀寫性能測試（EXPO爲超頻前，OC爲超頻後 下文同）：
網遊
3A
通過數據可以得出：超內存對網遊提升還是很大的，尤其是LOW幀，基本提升在10%以上
最後還有幾套稍微緊一點的作業，老闆們可以試試看（需謹慎，沒有內存風扇，可能冬天能用夏天不行），抄了藍屏死機，無法開機，重置BIOS就好
我猜你想問：BIOS怎麼重置
重置BIOS一般有這幾個方法：主板後部IO面板，按清除BIOS按鈕
如果這樣還是不行，或者沒有CMOS按鈕，那就扣主板電池，讓主板斷電，電池靜置5分鐘再裝回去，BIOS就會恢復成初始狀態
以上就是本次內存超頻教程的全部內容了，希望大家超得開心，玩的開心，這裏是和微論件，大家下期再見！
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