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这期内容准备了很久，因为这是一期保姆级教程，对着图片一步步抄都能成功，4张不同品牌主板，8种完全不同的内存颗粒，说白了只要你用AM5 处理器，这期多半就是对你有用的
并且不是简单教你怎么抄作业，还会用实测数据告诉你，EXPO，与手动超频的差距，如果能帮到你记得三联支持一下
测试平台CPU选择9700X,开启频率PBO+200 负压-20，不用X3D的原因是X3D超内存提升极小，对比不出来效果，显卡亮机卡5080，主板来自微星，技嘉，华硕，铭瑄，选的都是常规四槽主板，没有OC特化
内存颗粒是这些：威刚 龙耀D500G 6000C28 16G×2 海力士A-die
威刚 龙耀D500G 6000 C28 24G×2 海力士3GM-die
威刚 龙耀D300G 6000 C30 16Gx2 海力士2GM-die。
英睿达 PRO 6000 C36 16Gx2 2G镁光D-die
英睿达 PRO 6400 C32 16Gx2 新2G镁光颗粒。
金泰克 朱砂痣 6000 C36 24Gx2 3G镁光颗粒
金百达 黑刃 6000 C36 16Gx2 国产长鑫颗粒
紫光 云彣 6000 C36 16Gx2 南亚颗粒
这里提一嘴，很多网上镁光8000+的作业都是英特尔平台，我手上这几套AMD平台基本上过测不了，加上英睿达也不做消费级了，就直接略过吧
其余配件如图所示
仅开启EXPO时，各内存搭配主板，如图所示，基本上都是很松的参数，毕竟厂商要先保证能稳定使用
台风检测颗粒，6000 C28为海力士A，6000 C36 为长鑫 南亚A 镁光D，其余都检测不出来
这一步是参数展示，都不极限，抄作业也能稳定长期用，不会搞得开不了机，也能满足大多数体质差的配置，
如果你把tREFI拉到最高，温度超过55℃，建议你加装风扇，或者适当降低一些，比如46800，换取稳定性
废话到这里就结束了，接下来就是保姆级教程
先开机，疯狂点按F2/Delete进入BIOS界面
华硕主板+6000 C28海力士 A-DIE
F5恢复默认设置→F7进入AdvancedMode高级模式→SystemLanguage选择简中→按方向键右键进入AiTweaker（鼠标点也可以）
按方向键下键（同上，后文类似）移至AiOverclockTuner栏选择EXPO I→按方向键下键移至内存频率（MemoryFrequency），选择想超的内存频率
这里ADIE作业是6200，其他颗粒频率自选
按方向键下选择FCLK频率，同步模式下FCLK：超频频率一般保持1:3的关系，异步分频模式下则为1：4→
往下的CTC(CoretuningsConfigurationfor gaming)选择Level2模式
继续往下 CPU SOC电压选择，手动模式（ManualMode）→VDD SOC VoltageOverride手动输入1.3
这个电压1.3基本是上限了，如果能稳，也可以继续向下减，1.1至1.3这个区间都可以，看你的CPU体质
CPUVDDIO/MCVoltage手动输入1.45，IO电压的作用是增强内存控制器的信号驱动能力，帮助提升内存频率和时序的稳定性
内存高电压模式（HIghDRAM VoltageMode）调为Enabled→DRAMVDD/VDDQ Voltage输入1.45
回到上方的内存时序控制（DRAMTimingControl）
PowerDownEnable（内存节能）选择Disabled→UCLKDIV1MODE选择UCLK=MEMCLK开启同步模式
UCLK是指统一内存控制器的工作频率，直接关系到内存控制器与CPU之间数据传输的效率
内存超频时，通常与内存频率（MEMCLK）保持同步，确保性能发挥到最佳
接下来就是调整时序参数,Tcl输入28，TrcdWr输入36，TrcdRd输入36，Trp输入36，Tras输入72，Trc输入108，TRC一般大于等于TRP+TRAS，Twr输入60，RefreshInterval输入65535
Trfc1输入450，Trfc2输入400，Trfcsb输入350，一般TRFC1大于TRFC2，大于TRFCSB，这三个数值基本可以视为Adie这三个参数的起手数值
Trtp输入24，Trrdl输入16，Trrds输入8，Tfaw输入32，TwtrL输入31，TwtrS输入8，下方其余选项均Auto，
下方表格中如果其余颗粒在A-DIE AUTO的参数有数值，并且顺序也是能够对应上的，从上到下输入，修改完毕按F10保存重启
微星主板+6000 C28 海力士3G-MDIE
F6恢复默认→F7进入Advanced高级模式→选择Overclocking
下移至EXPO，调整为Enabled→内存频率（DRAMSpeed）选择6000→FCLK频率选择2000
这里依然是1：3的关系，UCLK DIV1 MODE选择 UCLK=MEMCLK→延迟杀手（LatencyKiller）选择禁止
下移至电压设置，内存高电压模式（DRAM High Voltage Mode）选择允许→内存电压（DRAMVoltage）改
为1.45V，VDDQ与VDDIO自动同步，内存VDDQ电压是存储芯片输出缓冲器的供电电压通常用于确保内存数据输出能力
这里值得一提的是，华硕技嘉主板VDDIO电压给的比较准，可以选择AUTO，除非是搭配比较能超的海力士颗粒可手动调高
但微星铭瑄主板则需注意，VDDIO电压与VDD/VDDQ同步，如果VDD/VDDQ给高了超过1,45，建议手动把VDDIO降低至不超过1.45
上翻回到高级内存
调整时序参数，tCL输入28，tRCDWR和tRCDRD输入36，tRP输入36，tRAS输入72，tRC输入108
tWR输入60，tRFC1输入600,tRFC2输入450，tRFCSB输入400，tREFI输入65535
tRTP输入16，tRRDL输入12，tRRDS输入8，tFAW输入28，tWTRL输入22，tWTRS输入6
再到下方禁止PowerDownEnable，修改完毕F10保存重启
技嘉主板+6000 C36 3G镁光颗粒
F7恢复默认→点击右上角换成中文→进入高级模式
下移至EXPO预设文件，更换为EXPO 1→ CoreTuningConfig与华硕主板一样选择Level2→关闭延迟杀手（只是跑分好看，实际提升一般）
下方内存倍频调整为60，即6000MHZ，→InfinityFabricFrequencyandDividers 调整为2000，→UCLK DIV1 MODE选择UCLK=MEMCLK
DDR_VDDVoltage和DDR_VDDQVoltage均设置为1.35
回到上方高级内存设置→PowerDownEnable（内存节能）Disabled→MemorySubtimings调整时序参数
CASLatency输入36，tRCD输入45，tRP输入45，tRAS输入96，tRCAUTO，tWR输入72，tREF输入65535，tRFC1输入1180→F10保存重启
铭瑄主板（新版图像BIOS）+6000 C36 2G长鑫颗粒
F9恢复默认设置→右上角切换中文→左侧栏下移进入超频
EXPO开启EXPOProfile1→内存频率设置为6000→FCLK频率设置为2000，UCLK DIV1 MODE选择UCLK=MEMCLK
内存VDD/VDDQ电压均设置为1.38→关闭内存降延迟→内存VDDIO电压同步为1.38V→回到上方内存时序
内存时序调节选择专业模式→调整时序参数→Tcl输入36，TrcdWr输入38，TrcdRd输入38，Trp输入38
Tras输入88，Trc输入126，Twr输入72，Trfc1输入800，Trfc2输入500，TrfcSb输入400，Trefi输入65534
内存省电模式关闭→F10保存重启
完整作业，对着抄即可
所有参数全解释一遍你们可能没兴趣看，挑两个相对重要的：TRFC和TREFI，这两个参数对内存性能和稳定性有着至关重要的影响，甚至可能大于主时序
内存刷新就像手机充电，tRFC是充一次要多长时间，肯定是时间越短越好
而tREFI可以理解为间隔多久充一次电，肯定是间隔越长越好，所以这个值越大越好，目前的上限基本都是65535
超内存核心就是快充、少充、但不断电
成绩展示
AIDA64内存读写性能测试（EXPO为超频前，OC为超频后 下文同）：
网游
3A
通过数据可以得出：超内存对网游提升还是很大的，尤其是LOW帧，基本提升在10%以上
最后还有几套稍微紧一点的作业，老板们可以试试看（需谨慎，没有内存风扇，可能冬天能用夏天不行），抄了蓝屏死机，无法开机，重置BIOS就好
我猜你想问：BIOS怎么重置
重置BIOS一般有这几个方法：主板后部IO面板，按清除BIOS按钮
如果这样还是不行，或者没有CMOS按钮，那就扣主板电池，让主板断电，电池静置5分钟再装回去，BIOS就会恢复成初始状态
以上就是本次内存超频教程的全部内容了，希望大家超得开心，玩的开心，这里是和微论件，大家下期再见！
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