買不起但可以先了解——內存的各參數詳解

非廣，現在內存什麼溢價想必大家都知道。本着買不起但可以先了解的原則，本文將詳細闡述內存條的各項參數含義，包括：代數、容量、品牌、顆粒、封裝、頻率、時序/延遲。按照重要程度進行介紹——

一、內存代數——跨越20多年的迭代

DDR內存，全稱Double Data Rate，中文雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器。自新千年推出DDR1代內存以來一直迭代，直至目前消費級最新也是最貴的DDR5內存。

目前主流平臺爲D4、D5。一般情況下代數越新技術越先進，性能的上限也高（當然不代表性能會跨越式上升，後文會具體闡述）。

個人認爲內存代數是挑選內存最基本的前提。要明確CPU、主板所能匹配的內存代數。特別是英特爾12到14代CPU，它們同時支持D4和D5的內存。

之所以要注意是因爲DDR內存每一代的接口缺口不一致，主板一般情況下只會設計成只支持D4或D5。一般主板都會標註支持的DDR代數，注意不要買錯主板和內存——

二、容量——容量爲先，性能再選

首先必須確定自己需要的內存總容量，總容量是決定電腦能開多少後臺、瀏覽器頁面、多卡多少軟件的最基本前提。如果內存大小都不夠，其他參數再漂亮也沒有實用價值。

如果內存容量不足時系統會調用硬盤作虛擬內存，速度會出現斷崖式下降，表現爲程序卡頓、閃退、加載緩慢。

確認總容量後一般選擇兩條完全相同內存組合即可，因爲構成雙通道的話帶寬比單條提升近一倍，對核顯性能、遊戲幀率、文件拷貝提升明顯。

三、品牌——百花齊放的時代

絕大多數內存品牌不生產DRAM核心顆粒，他們的核心工作是PCB設計、顆粒篩選、模組組裝、散熱調校與售後。英睿達（鎂光）和科賦（隸屬海力士）倒是原廠顆粒生產（不過英睿達已經宣佈撤銷品牌了）但也沒什麼顯著優勢。

這裏我就臨時截圖幾個我想到的內存品牌吧。其實他們的差異主要體現在顆粒篩選標準、調校水平、品控穩定性與售後體系。不過一般情況下內存是很難用壞的。

雖然當下環境難堪，但大家最好不要選擇無牌小綠條、不明來歷的拆機條。

四、顆粒——決定性能的核心

DRAM顆粒是內存的核心元件，直接決定內存的穩定性、超頻潛力與延遲表現。全球能量產高端消費級DRAM顆粒的廠商僅有三星、鎂光、海力士以及長鑫。

首先從品牌來看，韓美的顆粒性能大差不差，僅在超頻性能上有所差異——

從顆粒等級來看——

原廠原片：通過原廠完整檢測，所有參數達標，是正規品牌中高端型號的標配。其中 “特挑顆粒” 是從原片中篩選出的體質最優批次，超頻潛力遠高於普通顆粒；

白片（降級片）：原廠篩選中非核心參數不達標，但基礎功能正常的顆粒，經正規模組廠商二次檢測後使用；

黑片/拆機片：未通過原廠檢測的報廢顆粒，或從舊設備拆解的二手顆粒。

當然上述只是區分體質的俗稱，並非顏色區別。無論是DRAM還是NAND芯片都是用現代大規模集成電路的生產方法生產出來的，從同一個晶圓上分出來的芯片本來就有好有壞有良品率的問題，因此無論用什麼方法去區分芯片以及顆粒體質的優劣都是沒問題的。

如果不是極限超頻的話其實不必太在意。

五、封裝——注意單雙面顆粒

一般情況下，同容量單面顆粒（PCB僅一面有顆粒，單顆密度高）電氣性能更優，超頻潛力更好。當然也有可能是容量小單面就焊完了。如果有內存馬甲遮擋的話從側面或者底面查看就可以判斷，最好不要私拆馬甲，可能會損失質保。

雙面顆粒（兩面均有顆粒）Bank數量更多，併發性能可能會略強，老平臺兼容性更好。

日常使用兩者差異極小，無需刻意追求。

六、頻率——速度的直觀體現

1、概念

頻率，單位MHz，內存顆粒內部振盪器每秒震盪次數，單沿信號速率，只在電壓上升沿傳輸數據。

廣義的頻率也指代速率，單位MT/s，等效數據傳輸速率，是商家、主板標註的規格。時鐘上升沿、下降沿 各傳一次數據，1次震盪 = 2次數據傳輸： 等效MT/s = 物理MHz × 2。

這也是爲什麼CPU-Z裏顯示的內存頻率爲標稱2133的一半——

2、標準頻率

又稱JEDEC標準頻率，是確保主板CPU內存溝通時最基礎的頻率。行業強制原生規格，所有主板不開超頻預設或者BIOS重置後都會自動跑這個頻率，兼容性100%穩定。

DDR4爲2133（初代D4默認）或2400

DDR5爲4800

3、預設超頻頻率

一些主板支持超8000＋的頻率，同樣需要支持或可以超頻到該頻率的內存。

而一些預設的超頻參數可以讓小白一鍵開啓預設超頻。與手動超頻的不可預測與危險性不同，預設的超頻一般不會影響內存穩定性、兼容性和質保，是完全安全且十分推薦開的，畢竟還是有實打實的性能提升。

AMD管這叫EXPO，英特爾管這叫XMP，通常在主板BIOS裏選擇預設，詳情應該閱讀主板使用手冊。

當然內存頻率並非越高越好，還要結合下文參數進行評判。

七、時序——延遲的間接體現

時序根據內存貼紙（有些僅會標註CL）或者CPU-Z的數據可以分爲CL、tRCD、tRP、tRAS——

CL 列地址選通延遲。內存接收到讀取指令後，到真正輸出數據所需的時鐘週期數。是最受關注的時序參數，同頻率下CL越小，延遲越低。也是商家宣傳的什麼什麼C26、C28或者上圖標籤上寫的C40的依據。

後續的參數對普通玩家來說並不重要，只有那些拿錢調教或者超頻玩家會懂會動——

tRCD全稱RAS to CAS Delay，行地址到列地址延遲。激活內存行地址後，等待列地址就緒的時間，直接影響隨機訪問場景的延遲。

tRP全稱Row Precharge Time，行預充電時間。關閉當前行、預充電下一行所需的間隔時間，頻繁切換內存地址時作用明顯。

tRAS全程Active to Precharge Delay，行激活到預充電最小時間。一行內存被激活後必須保持的最短時間。

其中CL值是延遲的間接體現，也可以通過CL值和頻率計算絕對延遲。公式爲——

絕對延遲 (ns) = (CL值 ÷ 內存有效頻率)×2000

這裏以我的第一臺矛盾主機爲例，根據CPU-Z的SPD數據顯示可以推導——

絕對延遲＝15/2133*2000≈14.06納秒

理論歸理論，實際情況是什麼呢？通過AIDA64的內存讀寫測試可以看到平臺延遲——

這是由於加上後續小參、主板、CPU等總的影響下的延遲。大家不要有焦慮，我這個數據在黑盒裏應該算墊底的了，但我還是玩得不亦樂乎。

總結

雖然現在買不起內存條，但各種參數都瞭解後會方便後續降價後購買的——只需確定代數，保證容量，選好品牌，依據價格選擇頻率和CL值就可以了。

其中頻率和CL值就我個人而言在當下的消費環境裏其實不重要，除非是什麼6000C40的灰燼飛舞條否則真的不要太在意。好吧我還在用2133C15的飛舞條呢。

該文章是內存系列篇的開篇之作，屬於是想到哪寫哪，或有謬誤歡迎指正。

後續我可能會更加詳細講解內存條的一些參數，敬請期待。