买不起但可以先了解——内存的各参数详解

非广，现在内存什么溢价想必大家都知道。本着买不起但可以先了解的原则，本文将详细阐述内存条的各项参数含义，包括：代数、容量、品牌、颗粒、封装、频率、时序/延迟。按照重要程度进行介绍——

一、内存代数——跨越20多年的迭代

DDR内存，全称Double Data Rate，中文双倍数据率同步动态随机存取存储器。自新千年推出DDR1代内存以来一直迭代，直至目前消费级最新也是最贵的DDR5内存。

目前主流平台为D4、D5。一般情况下代数越新技术越先进，性能的上限也高（当然不代表性能会跨越式上升，后文会具体阐述）。

个人认为内存代数是挑选内存最基本的前提。要明确CPU、主板所能匹配的内存代数。特别是英特尔12到14代CPU，它们同时支持D4和D5的内存。

之所以要注意是因为DDR内存每一代的接口缺口不一致，主板一般情况下只会设计成只支持D4或D5。一般主板都会标注支持的DDR代数，注意不要买错主板和内存——

二、容量——容量为先，性能再选

首先必须确定自己需要的内存总容量，总容量是决定电脑能开多少后台、浏览器页面、多卡多少软件的最基本前提。如果内存大小都不够，其他参数再漂亮也没有实用价值。

如果内存容量不足时系统会调用硬盘作虚拟内存，速度会出现断崖式下降，表现为程序卡顿、闪退、加载缓慢。

确认总容量后一般选择两条完全相同内存组合即可，因为构成双通道的话带宽比单条提升近一倍，对核显性能、游戏帧率、文件拷贝提升明显。

三、品牌——百花齐放的时代

绝大多数内存品牌不生产DRAM核心颗粒，他们的核心工作是PCB设计、颗粒筛选、模组组装、散热调校与售后。英睿达（镁光）和科赋（隶属海力士）倒是原厂颗粒生产（不过英睿达已经宣布撤销品牌了）但也没什么显著优势。

这里我就临时截图几个我想到的内存品牌吧。其实他们的差异主要体现在颗粒筛选标准、调校水平、品控稳定性与售后体系。不过一般情况下内存是很难用坏的。

虽然当下环境难堪，但大家最好不要选择无牌小绿条、不明来历的拆机条。

四、颗粒——决定性能的核心

DRAM颗粒是内存的核心元件，直接决定内存的稳定性、超频潜力与延迟表现。全球能量产高端消费级DRAM颗粒的厂商仅有三星、镁光、海力士以及长鑫。

首先从品牌来看，韩美的颗粒性能大差不差，仅在超频性能上有所差异——

从颗粒等级来看——

原厂原片：通过原厂完整检测，所有参数达标，是正规品牌中高端型号的标配。其中 “特挑颗粒” 是从原片中筛选出的体质最优批次，超频潜力远高于普通颗粒；

白片（降级片）：原厂筛选中非核心参数不达标，但基础功能正常的颗粒，经正规模组厂商二次检测后使用；

黑片/拆机片：未通过原厂检测的报废颗粒，或从旧设备拆解的二手颗粒。

当然上述只是区分体质的俗称，并非颜色区别。无论是DRAM还是NAND芯片都是用现代大规模集成电路的生产方法生产出来的，从同一个晶圆上分出来的芯片本来就有好有坏有良品率的问题，因此无论用什么方法去区分芯片以及颗粒体质的优劣都是没问题的。

如果不是极限超频的话其实不必太在意。

五、封装——注意单双面颗粒

一般情况下，同容量单面颗粒（PCB仅一面有颗粒，单颗密度高）电气性能更优，超频潜力更好。当然也有可能是容量小单面就焊完了。如果有内存马甲遮挡的话从侧面或者底面查看就可以判断，最好不要私拆马甲，可能会损失质保。

双面颗粒（两面均有颗粒）Bank数量更多，并发性能可能会略强，老平台兼容性更好。

日常使用两者差异极小，无需刻意追求。

六、频率——速度的直观体现

1、概念

频率，单位MHz，内存颗粒内部振荡器每秒震荡次数，单沿信号速率，只在电压上升沿传输数据。

广义的频率也指代速率，单位MT/s，等效数据传输速率，是商家、主板标注的规格。时钟上升沿、下降沿 各传一次数据，1次震荡 = 2次数据传输： 等效MT/s = 物理MHz × 2。

这也是为什么CPU-Z里显示的内存频率为标称2133的一半——

2、标准频率

又称JEDEC标准频率，是确保主板CPU内存沟通时最基础的频率。行业强制原生规格，所有主板不开超频预设或者BIOS重置后都会自动跑这个频率，兼容性100%稳定。

DDR4为2133（初代D4默认）或2400

DDR5为4800

3、预设超频频率

一些主板支持超8000＋的频率，同样需要支持或可以超频到该频率的内存。

而一些预设的超频参数可以让小白一键开启预设超频。与手动超频的不可预测与危险性不同，预设的超频一般不会影响内存稳定性、兼容性和质保，是完全安全且十分推荐开的，毕竟还是有实打实的性能提升。

AMD管这叫EXPO，英特尔管这叫XMP，通常在主板BIOS里选择预设，详情应该阅读主板使用手册。

当然内存频率并非越高越好，还要结合下文参数进行评判。

七、时序——延迟的间接体现

时序根据内存贴纸（有些仅会标注CL）或者CPU-Z的数据可以分为CL、tRCD、tRP、tRAS——

CL 列地址选通延迟。内存接收到读取指令后，到真正输出数据所需的时钟周期数。是最受关注的时序参数，同频率下CL越小，延迟越低。也是商家宣传的什么什么C26、C28或者上图标签上写的C40的依据。

后续的参数对普通玩家来说并不重要，只有那些拿钱调教或者超频玩家会懂会动——

tRCD全称RAS to CAS Delay，行地址到列地址延迟。激活内存行地址后，等待列地址就绪的时间，直接影响随机访问场景的延迟。

tRP全称Row Precharge Time，行预充电时间。关闭当前行、预充电下一行所需的间隔时间，频繁切换内存地址时作用明显。

tRAS全程Active to Precharge Delay，行激活到预充电最小时间。一行内存被激活后必须保持的最短时间。

其中CL值是延迟的间接体现，也可以通过CL值和频率计算绝对延迟。公式为——

绝对延迟 (ns) = (CL值 ÷ 内存有效频率)×2000

这里以我的第一台矛盾主机为例，根据CPU-Z的SPD数据显示可以推导——

绝对延迟＝15/2133*2000≈14.06纳秒

理论归理论，实际情况是什么呢？通过AIDA64的内存读写测试可以看到平台延迟——

这是由于加上后续小参、主板、CPU等总的影响下的延迟。大家不要有焦虑，我这个数据在黑盒里应该算垫底的了，但我还是玩得不亦乐乎。

总结

虽然现在买不起内存条，但各种参数都了解后会方便后续降价后购买的——只需确定代数，保证容量，选好品牌，依据价格选择频率和CL值就可以了。

其中频率和CL值就我个人而言在当下的消费环境里其实不重要，除非是什么6000C40的灰烬飞舞条否则真的不要太在意。好吧我还在用2133C15的飞舞条呢。

该文章是内存系列篇的开篇之作，属于是想到哪写哪，或有谬误欢迎指正。

后续我可能会更加详细讲解内存条的一些参数，敬请期待。