海力士二代ADie芯片曝光，原生7200MT/s+3Gb容量或將化身新金條

來源——AMP實驗室

不敢想象落地要多貴

雙十一期間，不少玩家都在預備裝機或者打算升級設備，然而，對最近硬件有所關注的朋友都能發現一件事，那就是內存價格爆炸了。不過，消費端的產品趨勢並未影響企業端的開發， SK海力士新一代內存於推特現身，被確認爲是第二代的Adie顆粒。

媒體unikoshardware 發佈推文，這款新芯片被打上了“X021”的標記，並擁有全新的“AKBD”零件編碼。而根據此前業界對 SK 海力士顆粒命名規則的分析，“X021”標記明確了其爲第二代3Gb A-Die芯片，它將接任此前出現在早期DDR5模組中的3Gb M-Die變體。

參考海力士過往的命名規律，零件編碼中的字母組合，如EB、GB和HB，分別對應JEDEC原生4800MT/s、5600MT/s 和6400MT/s的速度。因此，全新的“KB”代號很可能遵循這一模式，原生速度將直指7200MT/s，這一推測也得到了相關硬件羣組發帖者的確認。

從平臺兼容性來看，這一升級正逢其時。英特爾當前和未來的硬件平臺都走向全面DDR5支持，例如Arrow Lake Refresh和Panther Lake酷睿處理器，預計將在官方規格中支持DDR5-7200 MT/s速度。這意味着海力士的這款新A-Die顆粒有望成爲下一代高頻內存套件的核心基礎，相較Raptor Lake的DDR5-5600標準是一個顯著的提升。

不過，需要注意的是，目前曝光的模組似乎採用了8層PCB設計。對於追求更高頻率的玩家而言，8層PCB在試圖突破8000 MT/s速度時，其信號完整性和供電穩定性可能會成爲限制因素。業內的高端DDR5內存套件通常會選用10層甚至12層PCB，以實現更乾淨的信號路徑和更高的穩定超頻頻率。因此，內存製造商需搭配更高規格的PCB設計，才能充分釋放新A-Die顆粒的全部潛力。

在DDR5內存世代，海力士的Adie顆粒一直都是超頻玩家的首選，擁有出色的超頻潛能。這次第二代A-Die的出現，最直觀的進步就是將 JEDEC 原生頻率從6400MT/s提升至7200MT/s。

對於普通用戶而言，這意味着未來主板的“默認”或“XMP/EXPO”性能門檻將更高，用戶能更輕鬆地獲得高性能體驗，更好地匹配英特爾和AMD的新一代CPU。

不過需要考慮的還是錢包問題，如今DDR5內存價格飛漲，並且威剛和美光的高層都發表言論表示該週期在尚不清楚在明年何時結束，甚至可能供應情況進一步加劇。若海力士新品推出，以這樣的性能參數，勢必會成爲新的“金條”。