三星3nm＝臺積電5nm＝英特爾7nm，廠商太會玩文字遊戲

芯片的“納米”數字，早已不再是嚴謹的技術指標。從14nm工藝開始，所謂的“XX納米”已經成爲了廠商們的營銷工具，實際的柵級寬度和標稱數字並不對等。這些數字早已失去了本應承載的技術意義，變成了吸引眼球的噱頭。

許多高管公開表示，所謂的“5nm”或“3nm”其實只是廠商們隨意定義的數字，根本沒有統一的標準，更多是爲了顯示技術領先的假象。廠商們用這些數字來打造“技術突破”的印象，然而它們和實際的工藝水平之間差距很大。

就算三星的5nm和臺積電的5nm，同樣是5nm其實也不一樣。

這裏的關鍵在於晶體管密度，它比“XX納米”更能反映芯片技術的真實水平。以下是不同廠商在各工藝節點下的晶體管密度（單位：每平方毫米的晶體管數）：

10nm：英特爾：1.06億，三星：0.5億，臺積電：0.5億

英特爾明顯領先。

7nm：英特爾：1.8億，三星：0.95億，臺積電：0.95億

英特爾依然佔優。

5nm：英特爾：3億，臺積電：1.73億，三星：1.27億

英特爾繼續領先，三星差距顯著。

3nm：英特爾：5.2億，臺積電：2.9億，三星：1.7億

英特爾遙不可及，三星的3nm實際上相當於臺積電的5nm。

從這些數據可以看出，三星的3nm工藝遠遠落後於臺積電和英特爾。儘管三星宣傳其3nm工藝，但其技術含量和良率都不盡人意。

那我們該如何判斷芯片工藝的優劣？

答案是：不要單純看“XX納米”。真正有效的技術指標是晶體管密度。它能準確反映芯片工藝的技術水平。簡單來說，晶體管密度越高，技術越先進，而且這個指標比“XX納米”更能體現工藝的難度和創新。

英特爾的技術積累依然領先，而臺積電在追趕的同時也不斷突破。相比之下，三星的工藝進展相對緩慢，良率也不理想，因此技術水平較爲遜色。