前段時間裝機，搞來一張中端PCIE4.0的固態硬盤作爲系統盤，性能還算不錯。
對比之前使用的3000MB/S速率的PCIE3.0固態而言，順序讀寫提升巨大。那頂級的PCIE4.0又能有哪些更出彩的表現呢？
恰逢小黑盒前段時間在做西數WD_Black SN7100的衆測，並且我的臺式電腦主板槽位又有剩餘，趕緊評論區報名參與一波~
包裝一覽
我手上的SN7100爲1TB版本，爲標準的2280長度，並且是單面單顆粒設計。
值得注意的是SN7100目前顆粒爲閃迪216層3D TLC NAND顆粒，單顆就能做到2TB容量。
其2TB版本提供了1200TBW的耐久度支持，1TB版本則爲600BTW。
主控採用自家的Polaris 3，基於臺積電 16nm工藝打造。
型號爲A101-000172-A1，支持NVME 2.0和PCIe4.0 × 4，且該盤無DRAM緩存，溫控理論上會優於有緩盤。
得益於工藝的進步，SN7100盤面給我帶來一種空曠感。
主控芯片，電源芯片，晶振，外加一顆閃存顆粒與若干電阻，構成能夠儲存大量數據的固態硬盤，你讓HDD怎麼活？
測試平臺展示：
Z790M三個M.2插槽都能最高跑在PCIeX4通道上，並且其上分別爲：
測試盤 WD_Bleck SN7100
系統盤 KLEVV C910
遊戲盤 幻隱HV2050 帶1GB DRAM
理論性能測試
下面進行測試，開盤後實際可用容量爲931GB。按照硬盤廠1GB＝1000MB換算到電腦實際1024MB，剛好爲931GB，符合標稱。
TXbench顯示，SN7100運行在PCIeX4速率上，並支持NVMe2.0。
在面前室溫15℃環境下，閒置狀態下，盤體傳感器溫度爲24℃。
與之對比的是本人閒置狀態下的有緩遊戲盤—29℃，C盤爲36℃，可見SN7100的溫控表現不錯，日常狀態相當涼快。
產品標稱1TB版本最高順序讀取爲7250MB/S，寫入爲6900MB/S。
在CDM與TxBENCH測試中，能跑出順序讀取最高接近7100MB/S，讀取接近7000MB/S的成績，符合其旗艦定位的性能。
主要亮點在於其較好的4K隨機讀取表現，接近100MB/S，甚至與目前最新的PCIe 5.0固態相比，都不落下風。
是很強，但缺乏對比，與目前我正在使用的中端4.0固態相比。
其在各方面都有超過20%的領先幅度，有些測試項目成績甚至可翻倍。
ATTO測試中具體結果如圖所示。
由於SN7100爲一塊無緩盤，採用SLC模擬作爲緩存。
全盤寫入測試，在連續寫入達到45%左右，即400G後出緩。
此後硬盤一邊回收一邊寫入，三秒一週期，平均寫入速度約爲400MB/S，直到全盤寫入完成。（忘記截圖了）
總體表現不錯，除非經常有大文件讀寫需求，一般也不會觸發回收機制。
並且據我所知，其2TB版本，甚至可做到全盤寫入量接近90%纔出緩掉速，非常牛逼！
經常大容量連續讀寫的用戶，建議加裝散熱馬甲使用，以保證硬盤持續發揮其性能（頂級旗艦還是不容小覷）。
西數還有專門的硬盤管理軟件——Western Digital Dashboard
可用於查看目前硬盤狀態，以及對其進行固件升級。就是安裝略微困難，建議在英文模式下下載安裝數據包。
尤其是其自帶的SMART診斷，十分貼心。
遊戲與使用測試
將CS2（46.82GB）從遊戲盤轉移到SN7100，用時18.9秒。
而將遊戲轉移回遊戲盤中，則用時21秒整，要慢上3秒多。
比PCIe3.0盤互寫快多了，爽移！
以遊戲點擊確認區服開始，到顯示健康遊戲忠告，直至進入主界面，用時19秒96。
遊樂園首次載圖用時8秒34，如果二次載圖，用時可做到4秒左右。
在100GB連續大文件寫入測試中，SN7100寫入速度能穩定在2.5GB/S，讀取速度約爲2.2GB/S，並且作爲讀取/寫入的3.0固態均滿載。
這時就大文件順序讀寫而言，PCIe4.0的SN7100（G:)與3.0硬盤的性能差距明顯。
由SN7100往中端PCIe4.0硬盤C910寫入100GB大文件,不知爲何C盤有些繃不住，佔用100%，尚未發揮SN7100的實力。
總結
作爲西數家的新款黑盤旗艦，SN7100性能表現實至名歸，尤其是100MB/S的4K隨機讀取十分亮眼。
大文件讀寫只要不短時間時間大量擦寫，使用體驗絲般順滑。
同時作爲集成度較高的硬盤，裸露的元器件也便於自行加裝散熱馬甲，個人認爲作爲旗艦產品，附贈一副會更顯誠意。
目前SN7100價格爲1TB—499元，2TB—979元。
個人認爲其1TB版本目前性價比較高，適合日用。
如果有大文件連續讀寫需求，建議上2TB版本，SLC模擬緩存巨大！不易掉速！
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