讀取14500MB/s，PCIe 5.0 SSD大成之作英睿達 T705硬核測評

大家好，我是黃昏百分百，今天爲大家帶來的是一款原廠、旗艦級PCIe 5.0 SSD 英睿達Crucial T705的硬核性能測試。

爲了對得起如此高端的SSD固態硬盤，本次測評將分別在intel Z790主板與AMD X670主板上進行，以便讓我們測試一下，intel平臺與AMD平臺在使用PCIe 5.0 SSD時有多少性能差距。

那麼廢話不再多說，我們開車吧。

英睿達Crucial T705 SSD外觀與參數

▲本次我拿到的是英睿達T705 白色限量版，與普通版本的區別是其預裝了一塊Premium級別的被動式散熱器。

▲SSD的兩面均被散熱器包裹，這款散熱器採用鋁+鍍鎳銅材質，其上擁有多條通風散熱鏤空，經後文實測，即使是被動散熱，其也能夠保證英睿達Crucial T705可以低溫、穩定運行。

▲英睿達Crucial T705搭載了羣聯PS5026-E26 Max14um主控+美光自家的232L 3D TLC NAND顆粒，英睿達Crucial 作爲美光自有品牌，在顆粒來源與品控上都無需擔心。

▲英睿達Crucial T705共有1TB、2TB、4TB三個容量可供選擇，分別擁有1GB、2GB、4GB的獨立緩存，其中2TB版本官標順序讀取速度爲14500MB/s，順序寫入速度爲 12700 MB/s，4K隨機讀取 1550000 IPOS，4K隨機寫入1800000 IOPS。

▲使用CrystalDiskInfo軟件進行查詢，英睿達Crucial T705 的工作協議爲PCIe 5.0×4，支持NVMe 2.0標準、S.M.A.R.T、TRIM以及VolatileWriteCache等功能。

英睿達Crucial T705 SSD硬核測試

衆所周知，intel的全系CPU均只支持到256bytes的傳輸負載，PCIe 4.0 SSD的理論傳輸速度上限爲7150MB/s，PCIe 5.0 SSD的理論傳輸速度上限爲14300MB/s，是無法跑滿英睿達Crucial T705 2TB版本14500 MB/s的官標讀取速度的，這也是我會引入AMD平臺進行測試的核心原因之一，當然，更重要的一點，是我想測試一下PCIe 5.0 SSD固態硬盤在兩大平臺上的包括隨機性能等的實際表現差異。

intel 測試平臺簡介

▲微星 MPG Z790 EDGE TI MAX WIFI 刀鋒鈦主板的下半部分幾乎通體被厚重的散熱裝甲覆蓋，取下所有的散熱裝甲後可以看到，主板共有5個M.2 SSD插槽，其中M.2_1 最大支持22110尺寸的SSD大船並支持PCIe 5.0規格，其餘四個插槽均最大支持2280尺寸的SSD且爲PCIe 4.0規格。

▲因此，我們自然是將英睿達Crucial T705放在主板最靠近CPU的固態硬盤位上進行測試，本插槽使用了CPU直連的PCIe 通道，另外，本次測試CPU爲intel 酷睿i9-14900K。

AMD 測試平臺簡介

▲AMD測試平臺方面，使用的則是七彩虹的CVN B650 GAMING FROZEN巡洋艦主板+AMD Ryzen 7 7700 CPU，主板與CPU均支持PCIe 5.0。

▲七彩虹CVN B650 GAMING FROZEN巡洋艦主板共有3個M.2 SSD硬盤插槽，除了最下方的一個爲PCIe 4.0協議之外，另外兩個均爲PCIe 5.0協議。

▲因此，本次依舊使用最靠近最上方的CPU直連M.2 槽位進行測試，另外，這個槽位還最大支持22110尺寸的SSD大船。

CrystalDiskMark 測試

首先我們進行CrystalDiskMark測試，這個軟件在常用軟件中跑分最高，所以官方宣傳也基本會用這個CrystalDiskMark的數據。

▲在intel平臺，英睿達Crucial T705順序讀取14104 MB/s，順序寫入11947MB/s，4K隨機讀取（Q1T1）97MB/s，4K隨機寫入（Q1T1）390MB/s。

▲而在AMD平臺，英睿達Crucial T705順序讀取14520 MB/s，順序寫入12592MB/s，4K隨機讀取（Q1T1）75MB/s，4K隨機寫入（Q1T1）267MB/s。

在AMD平臺上，英睿達Crucial T705實測跑出了12500MB/s+的官標順序讀取速度，順序寫入速度的達成率也非常之高（官標12700MB/s），因此我們可以說，英睿達Crucial 作爲鎂光旗下自有品牌，宣傳參數上還是十分靠譜的。

另外，我們也可以看到，intel平臺的4K隨機讀寫，要比AMD平臺表現更好，當然，這也有可能是CPU等級差距過大導致的。

AS SSD Benchmark

緊接着同樣是一款SSD測試的常用軟件，不同軟件間測試算法有所不同，所以速率有差別屬正常現象，請悉知。

▲在intel平臺，英睿達Crucial T705順序讀取9879 MB/s，順序寫入8072MB/s，4K隨機讀取（Q1T1）90MB/s，4K隨機寫入（Q1T1）384MB/s，總得分13898分，其中讀取得分4767分，寫入得分6792分。

▲而在AMD平臺，英睿達Crucial T705順序讀取10190 MB/s，順序寫入9102MB/s，4K隨機讀取（Q1T1）71MB/s，4K隨機寫入（Q1T1）223MB/s，總得分13064分，其中讀取得分4446分，寫入得分6413分。

在AMD平臺的順序讀取與順序寫入均高於intel平臺時，總得分依舊是intel平臺更高，可見4K隨機性能在AS SSD軟件評分中權重很大。

TxBENCH 基準測試

緊接着我們進行TxBENCH測試，這是一個功能十分完善的軟件，不僅可以進行基準測試，還可以做全盤寫入、讀取，甚至RAW格式全盤寫入等功能，晚一點我們會用這款軟件進行RAW格式全盤寫入，以探究英睿達Crucial T705的SLC緩存方案。

這裏，我們先來進行基準測試。

▲在intel平臺，英睿達Crucial T705順序讀取12969 MB/s，順序寫入12063MB/s，4K隨機讀取（Q1T1）95MB/s，4K隨機寫入（Q1T1）309MB/s。

▲在AMD平臺，英睿達Crucial T705順序讀取13119MB/s，順序寫入12947MB/s，4K隨機讀取（Q1T1）76MB/s，4K隨機寫入（Q1T1）227MB/s。

TxBENCH RAW格式全盤寫入

▲我們先來看一看SLC緩存的大小，在測試開始後，英睿達Crucial T705 2TB版本的持續寫入速度一直穩定在11000MB/s左右直至第20秒，此時寫入容量爲209GB，這便是其SLC Cache的容量，緊接着會進入TLC直寫階段，速度約爲4000MB/s。

寫入容量大概達到總容量的一半時（892GB），進入垃圾回收階段，在此過程中，前半程由於主控釋放SLC Cache的Write Back操作非常積極，使得部分寫入數據落入了空白塊中，寫入速度有短暫回升到TLC直寫速度的波動，最後隨着空白塊耗盡，終於進入了穩定的Write Back+R-E-W低速區間，速度在800MB/s左右。

英睿達Crucial T705 2TB版本的SLC策略還是比較保守的，只有11%左右的空間被劃到了SLC Cache，不過，本SSD TLC直寫階段依舊能夠有4000MB/s左右的速度，所以並不會因爲SLC Cache劃分較小而影響實際使用體驗，畢竟平時單次持續寫入200GB以上數據的場景都很少見。

3DMark Storage Benchmark

▲關於3DMark Storage Benchmark的得分，我兩個平臺放在一起說吧，首先在intel i9-14900K +Z790平臺上，英睿達Crucial T705 2TB版本得分高達5938分，而在AMD Ryzen7 7700 + X670平臺上，英睿達Crucial T705 2TB版本得分僅爲3211分，經過多次複測成績差距依舊如此之大。我們可以推斷，3DMark Storage Benchmark還是很喫CPU性能的，未來比較SSD固態硬盤時，我們必須將測試平臺作爲變量進行控制。

英睿達Crucial T705 SSD發熱測試

▲因爲英睿達Crucial T705限量版預裝了厚實的被動散熱器，熱成像儀就沒有用武之地了，所以這裏我們使用CrystalDiskInfo來查詢SSD的溫度，左圖爲英睿達Crucial T705的待機溫度，右側爲跑完一整輪CrystalDiskMark時的溫度，溫度僅從50°C上升到54°C。

因此，我們可以確認，羣聯PS5026-E26 Max14um主控+美光232L 3D TLC NAND顆粒的發熱控制十分優秀，即使是被動式的散熱器也可以滿足其散熱需求。

新遊戲技術與PCIe 5.0 的關係

文章最後我們再來說說，PCIe 4.0的SSD已經很快了，我們爲何還要升級到PCIe 5.0的SSD。

新的、與SSD固態硬盤有關的技術主要有三個，分別是NVIDIA RTX IO技術、Microsoft DirectStorage與Resizable BAR 技術。這裏我們通過NVIDIA RTX IO技術來了解一下傳統的遊戲加載方案與未來遊戲加載方案的區別。

▲當前主流的遊戲數據傳輸模式爲：

電腦先將硬盤中的數據傳輸至內存中，CPU再對內存中的數據進行解壓縮，然後再將數據傳輸到顯存中。然而現在NVMe固態硬盤的傳輸速率已經非常高了，解壓縮7GB/s數據就需要24核心的CPU，目前家用電腦平臺並沒有那麼多核心數的CPU。以之前的技術而言，CPU的核心數成爲了數據傳輸的瓶頸。

▲而新應用的NVIDIA RTX IO技術，可以使數據從硬盤中被讀取之後，直接走PCIe通道，經過GPU進入顯存，通過GPU（CUDA）進行數據的解壓，這樣，就無需擔心CPU與系統內存的性能了，也可以輕鬆跑滿SSD與顯卡的帶寬。Microsoft DirectStorage與之相似，這裏我就不再二次介紹了。

▲這個是NVIDIA官方給出的使用各款RTX 顯卡時，使用PCIe 5.0 SSD，在開啓\關閉RTX IO技術下，遊戲的加載時間與遊戲佔用硬盤體積的對比。其中，RTX IO技術最高可以將遊戲加載速度提升到原來的5倍，並將遊戲佔用體積壓縮的比原體積少44%。

▲目前，NVIDIA RTX IO技術已經從PPT走向現實，前幾個月推出的《瑞奇與叮噹：時空跳轉》以及《傳送門：序曲 (Portal: Prelude)》RTX 版均以實裝了這項技術，這兩款遊戲我都有，晚一些我爭取連上採集卡，測試一下RTX IO技術在這兩款遊戲中，對讀取速度的提升。

另外，相信在英偉達的力推下，RTX IO技術也會像DLSS技術，光線追蹤技術那樣迅速的普及開來，從這個角度來說，提前佈局一下PCIe 5.0的固態硬盤，也是十分不錯的選擇。

▲另外一項技術則是已經實裝很久的Resizable BAR 技術。前文已經說過，在傳統的遊戲加載模式下，遊戲的數據是從CPU解壓縮後再傳輸到顯存中的，而CPU單次向顯存傳輸數據的大小被限制爲了256MB，數據量超過這個體積就需要多次傳輸，電腦的內存則成爲了剩餘數據的緩衝區。由於遊戲越做越大，龐大的數據使得CPU與顯存的數據交換次數也越來越多，不僅使得整體運算效率低，還給了內存非常大的存儲壓力。而Resizable BAR 技術讓則可以使數據以整體方式進行傳輸，PCIe4.0、PCIe 5.0的大帶寬也讓電腦可以同時進行傳輸多個數據請求。