QLC閃存玩出新境界！江波龍全球首發用於eMMC 意義深遠

3月20日，2024年中國閃存市場峯會(CFMS 2024)在深圳舉辦，匯聚全球存儲巨頭。

江波龍攜旗下品牌FORESEE和雷克沙(Lexar)帶來了多款全新自研的存儲產品，涵蓋QLC eMMC存儲芯片、LPCAMM2內存、CXL內存擴展模塊、NM/microSD/SD存儲卡等等，快科技也與江波龍多位高層進行了一番深入交流。

江波龍董事長、總經理蔡華波在演講中，分享了江波龍從“存儲器廠商”向“半導體存儲品牌企業”全面轉型升級的戰略佈局，以及如何突破主流經營模式20億美元營收的天花板。

蔡華波表示，江波龍堅持自主研發，已實現較完整的存儲芯片自主設計能力，掌握了SLC/MLC NAND閃存、主控芯片設計能力，尤其在SLC NAND閃存芯片已大規模量產。

同時，江波龍已構建起自有的高端封裝測試與製造中心，包括併購的元成蘇州、智憶巴西（Zilia），以及自建的中山數據中心存儲專線等領先的封測與製造基地，涵蓋了芯片設計、軟硬件設計、晶圓加工、封裝測試、生產製造等各個產業鏈環節。

產品層面，江波龍目前主打兩條線，FORESEE是行業類存儲品牌，雷克沙(Lexar)則定位國際高端消費類存儲品牌，覆蓋了存儲芯片、U盤、SSD、存儲卡、內存條等各類產品。

隨着QLC開始逐漸普及，江波龍率先將3D QLC引入了eMMC產品，全球首發了FORESEE QLC eMMC，滿足“降本擴容”的行業需求，尤其適合手機的大容量存儲。

它基於江波龍自研主控WM6000，以及獨特的QLC算法和自研固件，已達到可量產狀態，性能和可靠性媲美TLC eMMC。

接口協議支持eMMC 5.1，順序讀寫速度分別可以達到340MB/s、300MB/s，首發容量爲128GB&256GB&512GB，根據市場需求可快速推出1TB版本。

對於江波龍爲何首先在eMMC產品上導入QLC閃存，江波龍嵌入式存儲事業部產品總監陳永解釋說，QLC作爲高密度、大容量、低成本的閃存介質，滿足了人們對存儲容量更大、成本更低的高要求。早在幾年前，江波龍就開始思考QLC用於eMMC的可行性，並通過衆多客戶交流、深度市場調查，以及與NAND 閃存原廠的積極溝通，從市場和資源兩方面發現了一定的實踐意義。

經過研發人員深度摸底，江波龍發現，QLC閃存在帶寬、讀取速度、整體可靠性等核心性能方面，已經有了很大提升，且在SSD領域，QLC正在追趕TLC，部分性能指標已經基本沒有差距。

針對QLC的特性，江波龍研究了固件算法，特別是LDPC糾錯機制，算法已經接近理論極限。

此外，江波龍的自研eMMC主控WM6000，在立項之初便以高要求作爲標準，與QLC搭配恰好能發揮最佳性能。

因此，QLC eMMC新品的發佈，對於嵌入式存儲產品發展來說具有重大的意義，體現了存儲技術的突破。

此外，江波龍在消費級、數據中心領域均有QLC SSD的產品計劃，目前處於研發預研中，旗下品牌雷克沙的消費級QLC SSD產品則已經上市，包括SATA、PCIe 3.0/4.0的產品，覆蓋全性能段。

江波龍的另一款首發新品是FORESEE LPCAMM2內存，支持LPDDR5、LPDDR5x，單條容量達16/32/64GB。

它擁有遠超傳統SO-DIMM內存形態的高集成度，體積減少了近60%，能效提升了近70%，功耗減少了近50%。

還有更高的128-bit位寬，速率也可以最高做到9600Mbps，大大超過DDR5 SO-DIMM 6400Mbps。

對比板載集成的LPDDR系列，它的模塊化形態不僅可擴展，而且可維護性更高。

江波龍DIMM部高級主任工程師張衛民也深入解讀了LPCAMM2高集成度帶來的衆多顯著優勢：

一是空間利用效率的提升，這對於追求輕薄設計的電子設備來說至關重要，能顯著減少主板空間佔用，使設備更加緊湊。

二是性能的提升，高度集成的電路設計有助於提升數據傳輸和處理的速度，減少延遲，從而提高設備的整體性能。

三是能耗的降低，保持高性能的同時還節省能耗，延長續航時間。

四是生產成本的降低，高集成度設計可以減少生產過程中的物料和組件數量，簡化生產流程。

五是可靠性和穩定性的提升，使用螺絲固定，同時減少連接器和接口數量，可以降低接觸不良或鬆動等導致的故障風險，而且通過優化電路設計和採用先進的封裝技術，可以進一步提高可靠性和穩定性。

江波龍首款採用自研架構設計的FORESEE CXL 2.0內存拓展模塊也在此次峯會上發佈並進行了演示，可滿足AI密集負載對存儲低延遲、高帶寬的苛刻要求，大大降低內存成本，提高利用率。

它形態是EDSFF E3.S，基於DDR5顆粒，已有容量包括64GB、128GB、192GB，正在研發更大的512GB。

傳輸接口走的是最新PCIe 5.0 x8，理論帶寬達32GB/s，可與支持CXL規範、E3.S接口的背板和服務器板無縫連接。

另一種形態則是AIC擴展卡，容量可以做得更大，現場展示的DDR4版本就已經做到了512GB，一個機箱插入8塊就可以達到4TB，非常適合用來做存儲池。

它走的是MCIO接口(未來會走PCIe接口)，系統通道是PCIe 5.0 x16，帶寬可達128GB/s。

江波龍企業級存儲事業部副總經理李翔透露，CXL 2.0 64GB/128GB/192GB版本預計在今年第一季度發佈、第二季度上市，512GB版本預計第二季度發佈並上市。

1996年誕生、2017年被江波龍收購的雷克沙一直是影像存儲領域的標杆，這次重點發布了多款高端存儲卡產品。

去年底，雷克沙成功發佈了512GB容量的NM Card存儲卡，這次又率先帶來了1TB超大容量版本，可適配多款鴻蒙OS手機、平板。

它採用兼容eMMC協議的自研主控WM6000，並使用了元成蘇州超薄閃存堆疊技術的先進封裝工藝，讀取速度可達90MB/s。

NM Card是中國提出的新一代的標準存儲格式，面積比市場主流通用存儲卡縮小了34%，與小巧的Nano SIM卡相當。

這一標準由華爲、雷克沙等共同發起的TIMA智慧終端存儲協會推動發展，雷克沙更是首個獲得ITMA協會認證發佈NM Card存儲卡的品牌。

雷克沙事業部產品總監王東洋指出，當前，NM Card的應用主要集中在華爲和榮耀手機上，特別是旗艦機型，同時隨着512GB/1TB大容量版本的發佈，更多手機終端品牌開始有了更大的興趣，雷克沙也在協助進行相關的技術研究。

後續，雷克沙會協同ITMA協會、行業夥伴一起進行技術迭代，規劃性能提速，積極探索汽車存儲、AI存儲等應用領域，相信市場空間將會進一步打開。

這是一款2TB大容量的microSD UHS-I存儲卡(藍卡)，搭載了WM5000自研主控和自研固件算法，同時應用了先進的12-Die堆疊技術，與超薄的研磨切割工藝。

它克服了封裝技術瓶頸，在嚴格遵循尺寸標準的基礎上，實現更高集成度和更大容量。

這是一款最高容量達到1TB的SD 3.0 UHS-I存儲卡(銀卡)，同樣是WM5000自研主控和自研固件算法，它採用了創新的4Plane直寫架構，實現了SDIO、NAND-IO的雙效提速，可以很好地支持4K超高清視頻的拍攝，讀取速度高達205MB/s，寫入速度也有150MB/s，讀寫性能均突破行業峯值。

“寫速快纔是真的快”，雷克沙SD 3.0銀卡將爲影像用戶帶來“持續使用一直快”、“用了很久依然快”、“很久不用還是快”的超快體驗。

同步上市的還有免費的雷克沙數據恢復工具，讓影像用戶安心創作。

順帶一提，儘管業界一致認爲，SSD在未來兩年仍將是PCIe 4.0的天下，但是雷克沙預計在二季度正式發售首款PCIe 5.0 SSD NM1090，這也是雷克沙NM系列首款四位數字的型號。

它採用羣聯E26主控，搭配美光232層TLC閃存，容量1/2/4TB，支持SLC動態緩存，順序讀寫速度最高12GB/s、10GB/s，並配備主動風扇散熱、ARGB燈效。

在CFMS 2024上，衆多存儲廠商秀出自己的最新技術成果，江波龍作爲在存儲行業深耕25年的龍頭企業，幾款新品的亮相也充分展示了其技術實力，讓外界看到了它轉型爲半導體存儲品牌企業的底氣，期待FORESEE和雷克沙（Lexar）兩個品牌能在不同領域在用戶帶來更具性能和成本優勢的產品。