不知還有多少朋友記得，人人都用到的閃存U盤是由咱們國家的Netac朗科科技發明的，而朗科在業內也有U盤之父的美譽。作爲國內存儲行業的老牌大廠，朗科在SSD領域也早早佈局，最近又推出了最新的NV7000絕影系列PCIe4.0滿速SSD，最高順序讀寫速度分別達到了7300MB/s、6700MB/s。

出於好奇，本次我又入手了一條剛剛上市的2T容量朗科NV7000-t，看看U盤之父的新作品表現到底如何。

⏹️產品解析

朗科的NV7000絕影系列SSD根據散熱配件的不同，分爲了NV7000和帶後綴的NV7000-t兩個型號。

其中NV7000是默認附帶金屬散熱裝甲的版本；後者則是使用了石墨烯散熱貼片的版本，售價也更實惠一些，兩者在其他硬件配置上均完全相同。

個人倒是覺得NV7000-t走的路子是對的，畢竟目前主流的主板基本都會標配M.2 SSD槽位的散熱裝甲，爲了裝機後外觀上的一致性，SSD自帶的散熱裝甲使用率真的不高，還不如換成散熱貼片降低些成本讓利給消費者。

本次我入手的2T容量朗科NV7000-t，官方標稱的順序讀取速度爲7300MB/s，順序寫入速度爲6700MB/s，從順序讀寫速度來看就是一塊標準的PCIe4.0滿速盤。在隨機讀寫性能方面，官方標稱的參數倒是有點保守，2T容量隨機讀取性能未突破1000K IOPS。不過這對咱們民用級用戶來說無所謂了，實際上我們用到的更多是單隊列單線程的4K隨機讀取性能，多隊列深度下的隨機性能我們很難用得上。

朗科NV7000-t提供了5年質保和1280TBW，也是業內標準的規格了，像致態、三星、西數、Solidigm等原廠盤也給2T容量SSD標稱了1200TBW而已。

朗科NV7000-t的包裝較爲樸素，整體爲黑色打底配合燙銀logo，有點老派的味道。

配件方面也符合國產SSD特色，除了使用手冊外，還額外附送了M.2 SSD固定螺絲。

有意思的是，雖然朗科NV7000-t出廠時並未將石墨烯散熱貼片粘貼在PCB板上，而是和金百達似的分開放置，方便用戶自己選擇是否要貼上。

這個小細節還是蠻貼心的，畢竟我們如果使用主板上的散熱裝甲的話，SSD與裝甲直觸的散熱效果肯定是更好的，這樣分開放置還免去了我們手動撕下散熱貼片的麻煩，同時還方便我們直觀的觀察SSD使用的顆粒與主控。

朗科NV7000-t是單面4顆粒佈局，顆粒料號爲CD04開頭，查了查可能是宏芯宇封裝的長江存儲晶圓。再用flash id看一眼，確定用的是長江存儲最新的232L X3-9070 TLC顆粒了。

主控也是我們非常熟悉的聯芸MAP1602A-F3C，，目前已經基本是國產HMB SSD的標配了。

經過長時間的市場驗證，聯芸MAP1602A這款國產PCIe4.0 SSD的主控性能真的很頂，並且發熱也是真的小，特別適合在散熱壓力較大的設備內使用。

從CrystalDiskInfo的讀取結果來看，這塊SSD的實際容量爲2000GB，比足容盤的2048G少了一點點。不過這也不算是毛病，少掉的那48G應該是用到了OP預留空間上了，可以帶來更高的穩定性，像西數SN850X、三星990 Pro等旗艦盤也都是這個容量。

由於10進制與2進制的換算關係，朗科NV7000-t在Windows中顯示的可用空間爲1863GiB。

簡單瞭解完以上信息，下面我們就開始對朗科NV7000-t進行正式測試吧。

⏹️測試平臺

• CPU：intel i5-13600K
• 主板：華碩ROG STRIX Z790-A GAMING WIFI吹雪 DDR5
• 內存：雷克沙 DDR5-6400 16GB X2
• SSD：Intel 傲騰900P 480G（系統盤）、PBlaze6 6536 6.4T（對拷盤）
• 顯卡：Intel UHD770
• 系統：Windows 11 Professional Edition

測試環境：室溫26℃，風冷散熱，開放式機箱，SSD測試時插在直通CPU的M.2槽位，CPU手動超頻至5.1GHz。

PS：固態硬盤的讀寫性能與CPU性能息息相關，除了受CPU主頻和單核性能影響以外，PCIe有效載荷Maximum Payload Size（MPS）也會對測試結果產生影響。

目前只有AMD平臺才能支持512字節的MPS，512字節的MPS理論上可以提供7.5GB/s的數據傳輸率；而Intel平臺只支持256字節的MPS，理論讀取速度就被限制到了7.15GB/s以內，所以在我這個測試平臺上是跑不到NV7000-t標稱的7300MB/s讀取速度的，望知悉。

⏹️基礎測試

目前我們常用的CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark、TxBench等軟件的基準測試結果都是在固態硬盤SLC緩存內的性能，不過順序讀寫速度等參數依然能直接體現出SSD的極限性能。

測了幾十塊SSD後發現，目前的消費級SSD由於標配了模擬SLC緩存機制，所以在空盤與滿盤情況下的緩內性能差距不大，所以這裏我們就在空盤狀態下使用常用的測試軟件對朗科NV7000-t進行讀寫能性能測試。

1️⃣CrystalDiskMark

作爲最常用的硬盤測試軟件之一，CrystalDiskMark能夠非常直觀的展示SSD在SLC緩內的讀寫性能表現，大部分SSD廠商的標稱參數也正是由該軟件測試而來的。

空盤狀態下，朗科NV7000-t的順序讀取速度爲7118MB/s，順序寫入速度爲6633MB/s，達到了官方標稱的性能參數，是目前PCIe4.0 SSD的滿速水準。

而在Q1T1下，SLC緩內4K隨機讀取速度達到了94.54MB/s，表現很棒，與我測試過的三星990 Pro、西數SN850X、Solidigm P44 Pro等旗艦盤處於同一水平。

2️⃣AS SSD Benchmark

CrystalDiskMark默認顯示的是多次跑分的最高成績，AS SSD Benchmark與CrystalDiskMark使用的測試算法略有不同，以10進制測試並以2進制輸出結果，且顯示的是平均成績。

所以正常情況下AS SSD Benchmark的測試結果無論如何都會比CrystalDiskMark低一些，不過由於AS SSD Benchmark有打分機制，對比相對直觀，還是有點參考價值，這裏簡單看一眼就好了，緩內性能同樣是PCIe4.0 SSD的頂級水平。

3️⃣3.ATTO

ATTO在測試時，會將數據包按512B, 1KB, 2KB直到到64MB的不同大小進行分別讀寫測試，測試完成後的速度結果用柱狀圖的形式表達出來，可以很好地說明不同文件大小下對SSD速度的影響。

朗科NV7000-t的ATTO測試柱狀圖非常穩定，甚至隨着數據塊增大，寫入性能還略微增加了一點，挺好的，沒毛病。

⏹️實際使用體驗測試

1️⃣️PCMark10

SSD的使用體驗很難用語言描述，畢竟有關流暢度的主觀感受真的沒有量化數據來得清晰。所以這裏我們選擇使用PCMARK10中的完整系統盤基準測試，來評估朗科NV7000-t作爲系統盤時的表現。

PCMark 10的完整系統盤基準測試包含23項測試場景，每個場景都會運行三次，通過對來自流行應用程序和常見任務的相關實際硬盤軌跡跟蹤，可以全面而且反映現在最新存儲設備的性能。

具體來說，測試項目包括Windows 10啓動、應用程序/遊戲啓動、複製多個大文和許多小文件、Office和Adobe應用程序運作時的硬盤軌跡等。

朗科NV7000-t在空盤狀態下的測試得分爲3765分，平均帶寬爲595.07MB/s，平均存取時間爲44μs，在HMB無緩盤中是比較優秀的水平了。

2️⃣️3DMark

3DMark 存儲基準測試是一項專用組件測試，用於衡量現代 PC 存儲設備對遊戲體驗的影響，它支持所有最新的存儲技術，更適合用來對SSD進行測試，對我等遊戲佬有很強的參考價值。

在空盤狀態下，朗科NV7000-t的得分爲3743分，平均帶寬641.64MB/s，依然是在PCIe4.0 SSD也是比較優秀的水準，各遊戲項目的具體測試結果如下圖所示：

⏹️進階測試

1️⃣全盤寫入曲線+SLC緩存方案分析

爲了解決TLC顆粒讀寫速度慢的劣勢，幾乎所有使用了TLC顆粒的消費級SSD都使用使用空閒容量模擬SLC緩存機制，在短時間的寫入操作時能夠極大地提高性能。

在向模擬SLC緩存空間中進行文件寫入時，滿速的PCIe4.0 SSD基本能夠達到7000MB/s左右的超高速度，但是當SLC緩存耗盡時，則會需要將原本寫入SLC緩存內的數據進行垃圾回收，以釋放SLC緩存空間，會暴露SSD真實的緩外寫入速度。

這個特性幾乎是目前在產的所有消費級SSD都有的，所以不要相信有的博主所說的“有緩盤因爲有緩存，所以全盤寫入不掉速”之類的P話，這純屬自己都沒玩明白就跳出來忽悠人的，遺禍無窮。

爲了深入探索SSD更深入、更全面的性能表現，這裏我們對朗科NV7000-t進行RAW格式下的全盤順序寫入測試，以觀察整體的寫入性能和SLC緩存的方案。

可以看到，朗科NV7000-t的全盤寫入曲線呈現經典的三段式結構。

在空盤狀態下，的SLC緩存容量爲250G左右，在持續寫入250G數據之前，順序寫入速度一直能持續5900MB/s的高速。

出緩後進入第二段的TLC顆粒直寫階段，此時由於尚未開始進行SLC緩存垃圾回收，所以代表的是TLC顆粒的真實寫入性能。可以看到，直寫速度經過的一點小波動，最終穩定在了2700MB/s，這真是相當優秀的水平，在我印象裏只有致態TiPlus7100跟這差不多了，而其他同樣使用X3-9070顆粒的國產SSD的直寫速度大多在2000MB/s徘徊。

個人推測這是由於2T容量的NV7000-t與致態TiPlus7100一樣，都使用了4顆粒的緣故。相比使用2顆粒的SSD，4顆粒可以視作在SSD上先做了個RAID0陣列，速度當然要比2顆粒的型號更有優勢。

而在寫入到1480G左右時，寫入曲線正式進入了第三段垃圾回收階段，此時主控既要將先前SLC緩存內的數據釋放，騰出原本模擬SLC時佔用的TLC空間，同時也要進行新數據的寫入操作，性能負載極大，所以在這個階段的寫入速度最慢。

不過朗科NV7000-t在這個階段的性能表現也很棒，即便在最慢的垃圾回收階段，進入穩態後的平均速度依然能保持在900MB/s左右，這個性能妥妥的是國產HMB SSD的第一梯隊，看來4顆粒佈局的性能真的很強。

同時我們可以看到，在第三段曲線的最後階段，由於主控垃圾回收工作已經基本完成，騰出性能來又試圖將寫入速度恢復到TLC顆粒直寫水平，這也讓整個第三段曲線的平均寫入速度達到了1010MB/s左右。

2️⃣SLC緩外4K隨機讀取性能

SSD的4K小文件隨機讀取性能是決定我們日常使用系統、打開程序是否流暢的關鍵。大家從機械硬盤升級到SSD時，明顯能感覺到到開機速度和打開軟件的速度更快，就是硬盤的隨機讀取速度大幅提高的緣故。

像CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark或者TxBench等軟件進行測試時，會先在SSD中生成一個測試用的文件，然後在該文件中進行讀寫測試。在讀取測試過程中，這個剛剛生成的文件由於還處於SLC緩存中，4K隨機讀取性能會受到SLC緩存機制的加強。

這也是爲何我們都說旗艦級有緩SSD因爲有DRAM緩存、隨機讀寫能力要比無緩盤更強，但是在CrystalDiskMark等軟件中測不出差距的原因。

我們平時安裝的系統、軟件、遊戲，只有在初次安裝的時候纔會寫入到SLC緩存中。在經歷一次電腦重啓後，SLC緩存會重新由空閒的TLC空間進行模擬，操作系統、軟件等都處於SLC緩存區域之外。

所以此時如果打開軟件或者遊戲，用到的是SLC緩存空間之外、TLC區域內的4K隨機讀取性能。

經測試，朗科NV700-t的緩外4K隨機讀取速度爲36.19MB/s，略高於致態TiPlus7100 2T的32.73MB/s，與愛國者P7000Z等同樣使用X3-9070顆粒的國產HMB SSD基本持平。

由於NAND閃存的先天原理限制，SLC緩外4K隨讀性能很難提高，HMB SSD由於沒有獨立DRAM緩存，在這個項目上更是比較喫虧，比Solidigm P44 Pro低了30MB/s左右。

不過大家不用擔心，負責任的說，普通用戶是用不出HMB SSD和Solidigm P44 Pro、SN850X、990 Pro等旗艦有緩SSD的性能區別的，我自己用的傲騰900P的4K隨機讀取速度能達到360MB/s，日常中輕度使用也很難察覺出有什麼明顯提升的地方。

總結

綜合本次簡單測評的結果來看，朗科NV7000-t的性能表現足夠讓人滿意。7300MB/s的順序讀取速度、6600MB/s的順序寫入速度使其坐穩了PCIe4.0滿速SSD的位置，並且4顆粒的佈局使其在細節性能方面還帶來了諸多優勢。

SLC緩內94MB/s、緩外36.8MB/s的4K隨機讀取速度保證了作爲系統盤使用時的流暢性，高達2700MB/s的TLC直寫速度和900MB/s以上的緩外速度也均優於普通的雙顆粒佈局國產SSD。

結合目前京東自營渠道489元2T的售價，個人感覺在這個價位上沒啥可挑剔的，眼看着又有國產SSD卷王之姿。#開學必備#