一、製程工藝
【1】封裝散熱設計
◆ 驍龍8EEG6，採用Offset PoP封裝設計，散熱性能小幅度提升；
【2】工藝設計
◆ 驍龍8EEG6採用臺積電N2P工藝打造；
——相較前代密度明顯提升。
二、CPU理論性能
◆ 超大核，相較前代高頻能效小幅提升，中低頻能效倒退！
——整體較爲接近A15。
◆ 中核，相較前代能效近乎全頻段大幅度倒退！整體能效落後於驍龍8Gen3！
——整體較爲接近麒麟9050！
——IPC性能相較前代大幅倒退11%！且同頻功耗增加12%！
三、GPU理論性能
◆ 測試中最新一代旗艦平臺，GPU能效相較前代均有提升，但驍龍升級幅度相對較小。
四、中核 異常數據分析
① 糟糕的TLB設計：迎合前沿標準，忽視現有體系，進而導致體驗崩塌！
【1】驍龍8EEG6中核解碼升級至5寬，但實際利用率大幅下降！
——前後端解碼均嚴重受限！
【2】驍龍8EEG6中核 L2 TLB未命中、頁表查詢次數，相較前代大幅增加！導致內存訪問量進一步增加！
——部分子項波動巨大！成績最大相差74%！
【3】虛擬頁延遲，大幅增加，且數據越緊湊，性能可能越差！
——該現象或導致優化較好的遊戲，實際表現反倒更差！
【4】受共享L2緩存影響，訪問延遲大幅增加！
——查頁表概率，大幅增加！進一步導致部分子項性能波動極大！
【4】事故：高通可能是想迎合安卓打算推廣的16KB頁；
——理想情況下TLB全覆蓋範圍可增加1倍！
——在16 K物理連續時查頁表概率，可進一步優化。
② L2緩存設計
【1】驍龍8EEG6中核緩存延遲，最差情況下延遲增加幾倍！最好的情況下延遲表現進似驍龍8E5。
——性能波動極大！
【2】驍龍8EEG6，L2緩存與超大核共用時鐘、電源軌，無法獨立控制L2；
——該設計導致中核負載時，L2緩存頻率無法快速響應，導致緩存延遲大幅增加！
【3】且因爲時鐘、電源軌共用設計，中核負載場景下，調度L2緩存，會導致超大核被異常拉起，導致功耗增加！
五、超大核異常數據分析
【1】疑似高通工程師失誤未將驍龍8EEG6超大核加入，Oryon優化路徑啓用判斷範圍；
——導致系統未識別驍龍8EEG6超大核，軟件優化缺席！
六、穩定性暴雷？
◆ 就現有數據來看，該產品出現的黑屏穩定性問題，是由於終端廠商爲了挽救驍龍8EEG6能效，自動降低電壓，導致的小批量體質不佳芯片出現運行穩定性問題；
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