存储界双雄出击：铠侠推高带宽闪存，海力士量产 321 层 QLC 闪存

铠侠（Kioxia）宣布，已成功开发出大规模人工智能（AI）模型所必须的大容量、高带宽闪存模块原型。这一成果是在日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）委托的“后5G信息通信系统基础设施增强研发项目（JPNP20017）”中取得，具有5TB容量，速度达到了64GB/s。

为了解决基于DRAM的传统内存模块在容量和带宽之间的权衡问题，铠侠开发了一种新的模块配置，包括利用菊花链连接等，结合新的高速收发器技术，使用PAM4信号编码机制，以更低的功耗实现每秒128Gbps的带宽。另外还有增强闪存性能的技术，有效地应用于闪存控制器和闪存模块，将两者之间的传输速率提升至4Gbps。

铠侠表示，新款闪存模块的实际应用有望加速数字化转型，使得物联网（IoT）、大数据分析和高级人工智能处理在后5G/6G移动边缘计算（MEC）服务器和其他应用中得到应用。

目前铠侠已完成了基于PCIe 6.0 x8（64Gbps）的存储控制器和模块原型开发，实测结果显示，该模块可在功耗低于40W的条件下，实现5TB容量与64GB/s带宽。除了物联网和大数据分析以及边缘的高级人工智能处理外，未来铠侠还将着眼于生成式AI等新市场趋势，推动该研究成果的早期商业化和具体实施。

SK海力士宣布，已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，并开始量产。

SK海力士表示：“在全球范围内率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其容量相比现有产品翻倍，达到了2Tb。一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此SK海力士通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

SK海力士计划首先用在PC SSD上，然后逐步扩展到面向数据中心的eSSD和面向智能手机的UFS产品。此外，SK海力士也将基于堆叠32个NAND芯片的独有封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。