存儲界雙雄出擊：鎧俠推高帶寬閃存，海力士量產 321 層 QLC 閃存

鎧俠（Kioxia）宣佈，已成功開發出大規模人工智能（AI）模型所必須的大容量、高帶寬閃存模塊原型。這一成果是在日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）委託的“後5G信息通信系統基礎設施增強研發項目（JPNP20017）”中取得，具有5TB容量，速度達到了64GB/s。

爲了解決基於DRAM的傳統內存模塊在容量和帶寬之間的權衡問題，鎧俠開發了一種新的模塊配置，包括利用菊花鏈連接等，結合新的高速收發器技術，使用PAM4信號編碼機制，以更低的功耗實現每秒128Gbps的帶寬。另外還有增強閃存性能的技術，有效地應用於閃存控制器和閃存模塊，將兩者之間的傳輸速率提升至4Gbps。

鎧俠表示，新款閃存模塊的實際應用有望加速數字化轉型，使得物聯網（IoT）、大數據分析和高級人工智能處理在後5G/6G移動邊緣計算（MEC）服務器和其他應用中得到應用。

目前鎧俠已完成了基於PCIe 6.0 x8（64Gbps）的存儲控制器和模塊原型開發，實測結果顯示，該模塊可在功耗低於40W的條件下，實現5TB容量與64GB/s帶寬。除了物聯網和大數據分析以及邊緣的高級人工智能處理外，未來鎧俠還將着眼於生成式AI等新市場趨勢，推動該研究成果的早期商業化和具體實施。

SK海力士宣佈，已開發出321層2Tb QLC NAND閃存產品，並開始量產。

SK海力士表示：“在全球範圍內率先完成300層以上的QLC NAND閃存開發，再次突破了技術極限。該產品在現有的NAND閃存產品中擁有最高的集成度，經過全球客戶公司的驗證後，計劃於明年上半年正式進入AI數據中心市場。”

爲了最大限度地提高此次產品的成本競爭力，SK海力士將其容量相比現有產品翻倍，達到了2Tb。一般來說，NAND閃存容量越大，單元中儲存的信息越多，並且存儲器管理越複雜，導致數據處理速度就越慢。爲此SK海力士通過將NAND閃存內部可獨立運行的平面（Plane）架構從四平面擴展爲六平面，從而提升了並行處理能力，緩解了因大容量導致的性能下降問題。

SK海力士計劃首先用在PC SSD上，然後逐步擴展到面向數據中心的eSSD和麪向智能手機的UFS產品。此外，SK海力士也將基於堆疊32個NAND芯片的獨有封裝技術，實現比現有高出一倍的集成度，正式進入面向AI服務器的超高容量eSSD市場。