鎂光科技公司宣佈,其第9代 TLC NAND 閃存芯片已進入量產階段,成爲行業內首家實現這一里程碑的公司。
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鎂光科技公司今天宣佈,已在 SSD 中出貨第九代 (G9) TLC NAND,成爲業內首家實現這一里程碑的公司。鎂光 G9 NAND 擁有業界最高的 3.6 GB/s 傳輸速度,提供無與倫比的數據讀取和寫入帶寬。
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這款新型 NAND 爲從個人設備和邊緣服務器到企業和雲數據中心的人工智能 (AI) 和其他數據密集型用例提供了最佳性能。
鎂光 G9 NAND 利用業界最快的 NAND I/O 速度,以滿足數據中心工作負載的高吞吐需求,數據傳輸速度比當前 SSD 中的任何 NAND 快 50%。
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鎂光 G9 NAND 還提供了高達 99% 的寫入帶寬和 88% 的讀取帶寬,相比當前的競爭解決方案,這些每個芯片的優勢轉化爲 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案中的性能和能源效率提升。
鎂光 G9 NAND 與其前代產品一樣,採用緊湊的 11.5mm x 13.5mm 封裝,比競爭產品節省 28% 的空間,成爲最小的高密度 NAND。更高的密度和更小的佔用空間爲各種用例提供了最大的設計選擇。
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鎂光 2650 SSD 中的 G9 NAND 提供了同類最佳的性能
鎂光 2650 NVMe SSD 集成了先進的 G9 TLC NAND,在 PCMark 10 測試中,其表現超過了競爭對手,爲日常計算提供了同類最佳的用戶體驗。
“鎂光 2650 SSD 利用我們的新 G9 NAND 推動了 PCIe Gen4 理論飽和水平的極限,”鎂光公司客戶存儲業務部副總裁兼總經理 Prasad Alluri 表示。“與競爭解決方案相比,這款硬盤的 PCMark 10 基準測試得分高出 38%,將重新定義這一類 SSD 的用戶體驗。”
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鎂光 2650 NVMe SSD 提供了同類最佳的可靠性,並通過其動態 SLC 緩存加速緩存功能提供更快的寫入性能。鎂光 2650 NVMe SSD 提供了實際飽和性能,順序讀取速度高達 7,000 MB/s。
與競爭產品相比,鎂光 2650 NVMe SSD 提供高達 70% 更好的順序讀取性能,高達 103% 更好的順序寫入性能,高達 156% 更好的隨機讀取性能和高達 85% 更好的隨機寫入性能。這些令人印象深刻的數據突顯了鎂光推動技術邊界併爲客戶提供無與倫比性能的承諾。
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G9 NAND 在客戶 OEM 的鎂光 2650 SSD 中可用,並以組件形式和消費者級 Crucial SSD 進行客戶資格認證。訪問鎂光 G9 NAND 和鎂光 2650 客戶端 SSD 瞭解更多信息。
個人評價:鎂光挺努力的就感覺,希望出點真正消費者級別的產品。
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