三星C-die：續寫傳奇，或是“電子垃圾”？

說到業界知名的存儲品牌，“三星電子”或許是愛好者腦海中浮現的第一個名字：憑藉DDR4世代的出色表現，三星內存的品質深入人心。

在世代初期，三星便憑藉其“Bdie”顆粒一舉成名：作爲掀開序幕的第一代產品，它不僅使對手們相形見絀，更令世人爲之驚歎。憑藉那優秀的耐壓能力、無出其右的時序水準，時至今日，Bdie仍是頂尖性能的象徵。

然而，“超頻能力”並不是內存唯一的參數，技術的變革不會止息。隨着Bdie所採用的20nm製程逐漸落後，三星也研製着多款換代產品——代號爲“Pascal”的Cdie內存顆粒，便是其中之一。

承接三星Bdie之後，Cdie是否能再創傳奇？在接下來的測試中，就讓我們一窺這款顆粒的真正實力吧。

分析與測試

測試CPU：AMD Ryzen R7-3800X

主板平臺：ASUS PRIME X570-PRO

參與測試的內存來自海盜船，隸屬於入門級的VENGEANCE LPX產品系列。貼紙上的“Ver 4.32”標識，正揭示了其顆粒的型號。

三星Cdie並不是最近才上市的冷門顆粒，但颱風軟件的識別結果仍然值得一提：意料之外，情理之中，依靠SPD數據進行“合理猜測”的它，又一次將“Cdie”識別爲了“Bdie”。望着“Boltzmann/20nm”的鑑別結果，實在令人哭笑不得。

事實上，作爲昔日傳奇的換代產品，三星Cdie使用了更新的光刻工藝，這也是其最大的亮點：以著名數學家布萊斯•帕斯卡爲名的第一代10nm節點（1x/18nm），便在這款內存上迎來首秀。

更爲先進的工藝技術，自然有希望帶來更優秀的綜合表現。然而，也正由於新一代製程的設計難度，三星在其中飽嘗良率之苦。

在這項工藝走向量產的2017年，正是DRAM顆粒供不應求的高峯。良率問題使其變本加厲，更爲Cdie的表現蒙上了一層陰影。

三星在製程中遭遇的困難，也能從Cdie這奇特的性能中窺見一斑——與諸多玩家們的“經驗”恰恰相反，Cdie顆粒的超頻能力，並不會隨着電壓的增加而穩步提升！

爲了達到更高的頻率，“增加電壓”往往是愛好者們慣用的做法。DDR4的JEDEC標準電壓爲1.2V——而1.35V通常是XMP產品的標配。爲了向更高的極限發起衝擊，1.4V乃至超過1.5V的內存電壓，已是玩家們心照不宣的祕籍。

（一套電壓高達1.6V的三星Bdie內存，圖自NGA。據作者所述，這套內存已穩定運行了2年）

在20nm製程的三星Bdie中，“高耐壓值”是資深玩家交口稱讚的特點。這款顆粒能在高達1.6V的數值下穩定工作，甚至能承受短時間1.8V的驚人電壓！其工作頻率也隨之不斷攀升，近5Ghz的性能無不使發燒友們瘋狂。

遺憾的是，換用18nm工藝後，三星Cdie沒能繼承這些優勢——它的電壓收益早在1.3V便宣告截止。倘若繼續加壓，內存的性能不升反降。

增加電壓的後果，便是不斷報錯

1.4V電壓對提高上限毫無幫助。而當數值達到1.5V時，它甚至無法在3400Mhz CL24的參數下穩定工作！

維持在1.35V的標準電壓，三星Cdie的表現差強人意：在單條16GB的雙面內存上，它最終取得了3733Mhz的極限超頻成績，但此時不能通過TM5 ABOSLUT穩定性測試的考驗。時序則是CL=18T，tRCD=22T，tRFC=600T。

即便犧牲了穩定性，這依然與前代產品B-die的表現相去甚遠——後者可以輕鬆耐受1.5V電壓，並能達成CL=14，tRFC＜400T的驚人蔘數。

而若繼續拉高頻率，越過“銳龍”處理器的分頻節點，三星Cdie也逐漸不堪重負。在頻率達到3800Mhz時拒絕啓動，這套內存的上限止步於此。

是的，更低的電壓意味着更低的功耗，更少的發熱或許是18nm製程的優勢。但玩家們只會記住性能的強者，三星Cdie註定將消失在人們的記憶中。

使用Cdie的內存產品？

得益於“三星”品牌的號召力，除卻海盜船“復仇者”LPX入門產品線外，它還被廣泛應用在諸多內存當中。

3200C16時序的芝奇“皇家戟”/“幻光戟”內存，便有概率採用了這款顆粒。通過序列號中的“10C”字樣，玩家可以將其辨別出來。

金士頓HyperX“駭客神條”內存——現已更名爲“FURY”系列——也曾混用了此款顆粒。XMP參數爲3200Mhz CL16 .1.35V，已然沒有太多超頻空間。

除此以外，它還被廣泛配備在OEM領域：不少筆記本原裝內存，正使用了三星C-Die。顆粒絲印上的“5WC”字樣，便是最好的證明。

後記

總體來看，三星Cdie沒能延續前輩的威名：奇特的電壓縮放特性，令Cdie衝擊高頻的夢想化作泡影；良率問題困擾着三星，也多少影響了顆粒的時序壓制能力。

在一些品牌的宣傳中，總試圖將“三星顆粒”與“頂尖性能”混爲一談。但從測試中也不難看出，不同的三星產品間相去甚遠。對內存而言，“製程先進”並不總是意味着“性能強大”。

憑藉Bdie顆粒一戰成名，可是誰能料到，這也竟是三星性能的巔峯——整個世代的後繼者們，再也沒能延續Bdie的傳奇。第四世代尾聲之時，三星引以爲傲的超頻紀錄易主；DDR5來臨之際，這家品牌的產品更已不復過去的輝煌。

（DDR4超頻記錄爲7200Mhz，現由海力士DJR顆粒保持）

儘管憑藉此前的積累，暫時還能維持王者的名號，但那“業界領先”的地位，已然受到前所未有的挑戰。在行業技術的變革之中，屬於“三星存儲”的時代，是否已成過去式了呢？